三星宣布收購美國MRAM芯片廠商Grandis
陽光 發(fā)表于：11年08月03日 09:09 [轉載] 搜狐IT
北京時間8月3日消息，據(jù)國外媒體報道，三星今天宣布，該公司已經收購美國MRAM(磁阻隨機存取存儲器)廠商Grandis。
Grandis的非揮發(fā)性存儲技術是DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)和NAND閃存未來的競爭者，芯片能耗更低，性能更高。但是，目前大規(guī)模制造MRAM芯片的成本過高。
三星稱，Grandis將被整合到研發(fā)部門中。三星相關研發(fā)部門“專注于開發(fā)新一代存儲技術，評估新型半導體材料和結構的長期商業(yè)價值”。
三星和Grandis沒有披露這一交易進一步的詳細資料。Grandis成立于2002年，有約25名員工，尚未發(fā)售一款產品
Grandis業(yè)務發(fā)展副總裁亞歷克斯•德利斯科爾-史密斯(Alex Driskill-Smith)表示，通過去年與Hynix Semiconductor達成的開發(fā)協(xié)議，該公司生產出了首款54納米芯片。Grandis預計，未來5年該公司的生產工藝將發(fā)展到20納米，甚至更先進。
Grandis的MRAM技術比傳統(tǒng)技術更先進。傳統(tǒng)MRAM芯片的工藝一直是99納米。
據(jù)德利斯科爾-史密斯稱，與廉價的NAND閃存芯片相比，MRAM芯片寫數(shù)據(jù)的能耗要低得多，“MRAM在許多方面要好于NAND閃存，NAND閃存芯片在改變每個存儲位的狀態(tài)時需要15伏至20伏的電壓，需要的時間量級為微秒，甚至達到毫秒”。
