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Intel計(jì)劃2014推DDR4 內(nèi)存企業(yè)苦苦堅(jiān)持

zol 發(fā)表于:12年08月26日 19:00 [轉(zhuǎn)載] 中關(guān)村在線

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[導(dǎo)讀]隨著新的SandyBridge-EP處理器發(fā)布,英特爾已經(jīng)將PCI-E 3.0的普及提上了日程。那么在規(guī)格上,下一個(gè)將要升級(jí)的則要算是DDR3內(nèi)存了。

隨著新的SandyBridge-EP處理器發(fā)布,英特爾已經(jīng)將PCI-E 3.0的普及提上了日程。那么在規(guī)格上,下一個(gè)將要升級(jí)的則要算是DDR3內(nèi)存了。

Intel計(jì)劃2014推DDR4 內(nèi)存企業(yè)苦苦堅(jiān)持

▲三星DDR4內(nèi)存樣品

從2007年第二季度開(kāi)始,英特爾開(kāi)始推出支持DDR3規(guī)格,不過(guò)由于當(dāng)時(shí)的處理器并沒(méi)有集成內(nèi)存控制器,所以主板芯片組提供了對(duì)DDR3規(guī)格的支持。而現(xiàn)在,隨著IEEE協(xié)會(huì)對(duì)DDR4標(biāo)準(zhǔn)制定的完成以及各個(gè)內(nèi)存廠商開(kāi)始展示DDR4內(nèi)存樣品,DDR4的腳步也仿佛越來(lái)越近。

但反觀DDR3規(guī)格,經(jīng)過(guò)5、6年的鋪墊和發(fā)展,目前DDR3仍然處于黃金時(shí)期,新的低電壓內(nèi)存以及更高頻率讓DDR3市場(chǎng)依然保持著相當(dāng)?shù)耐ⅰS绕涫翘摂M化和內(nèi)存計(jì)算等應(yīng)用的誕生,業(yè)界對(duì)內(nèi)存的需求也有增無(wú)減,F(xiàn)在正式推出DDR4標(biāo)準(zhǔn)對(duì)于業(yè)界來(lái)說(shuō)并不是最好的選擇。據(jù)悉,英特爾的再下代企業(yè)級(jí)服務(wù)器平臺(tái)Haswell-EX將會(huì)第一個(gè)整合DDR4內(nèi)存控制器。Haswell-EX和我們經(jīng)常展望的Haswell屬于同一家族,面向數(shù)據(jù)中心等大型企業(yè)領(lǐng)域,最多擁有16個(gè)核心,四路就是64核心。DDR4內(nèi)存不僅會(huì)帶來(lái)頻率的大幅提升(最高可達(dá)4266MHz),更會(huì)有1.2V低電壓、更好的對(duì)等保護(hù)和錯(cuò)誤恢復(fù)等技術(shù),這些大規(guī)模用于服務(wù)器和企業(yè)中心自然能看到立竿見(jiàn)影的好處。

而另一方面,對(duì)于內(nèi)存顆粒生產(chǎn)企業(yè)來(lái)說(shuō),DDR3顆粒價(jià)格的持續(xù)走低給各家的壓力非常巨大。由于工藝制程的不斷進(jìn)步以及傳統(tǒng)PC銷量的低迷,緊靠著企業(yè)級(jí)市場(chǎng)的強(qiáng)勁需求已經(jīng)不能讓內(nèi)存顆粒廠商保持盈利,前段時(shí)間爾必達(dá)的突然破產(chǎn)保護(hù)就是最好的例證。因此,借新標(biāo)準(zhǔn)的出臺(tái)從而提升利潤(rùn)率無(wú)疑是目前顆粒生產(chǎn)廠家最大的希望。

不過(guò),從英特爾的觀點(diǎn)來(lái)看,英特爾并不急于推出新標(biāo)準(zhǔn)。看來(lái)顆粒生產(chǎn)企業(yè)仍然需要在艱難困苦當(dāng)中再堅(jiān)持一段時(shí)間。爾必達(dá)已經(jīng)倒下了,下一個(gè)會(huì)是誰(shuí)?

[責(zé)任編輯:唐蓉]
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