據(jù)CNET引《日經(jīng)新聞》報道，日本、美國的20多家芯片公司組成研發(fā)聯(lián)盟，將共同開發(fā)下一代“磁隨機存取存儲器”（MRAM），有望替代目前的存儲方案——DRAM（動態(tài)隨機存儲）。

據(jù)悉，包括東京電子（Tokyo Electron）、信越化學工業(yè)（Shin-Etsu Chemical）、瑞薩電子（Renesas Electronics）、日立等日本公司，以及美國芯片巨頭美光科技在內(nèi)的20多家芯片廠商，計劃在明年2月份啟動一項MRAM存儲技術研發(fā)項目。上述公司將派幾十名研究人員進駐日本東北大學開展這項新技術的研發(fā)。

與DRAM存儲技術相比，MRAM耗電量僅為DRAM三分之一，但讀寫速度卻達到前者十倍。從理論上來講，MRAM存儲技術優(yōu)勢使其更適合于應用到下一代智能手機和平板電腦。不過是否真正得以實現(xiàn)還有待進一步觀察。報道稱，預計MRAM存儲技術被大規(guī)模應用還需等到2018年。