三星在本周宣布將量產(chǎn)20nm 4G DDR3內(nèi)存顆粒，體積更小，性能更高。DDR3可用在臺式機，筆記本電腦，超極本和平板電腦，三星表示該產(chǎn)品會讓消費者既省電又省錢。

三星新20納米DRAM

半導體工藝生產(chǎn)當中，晶體管越小，單位體積內(nèi)容納的晶體管越多，電路越小，生產(chǎn)成本越低。“我們相信用戶會顯著降低擁有成本”三星發(fā)言人說。

從2009年的50nm制程技術(shù)到2010年的30nm，再到2011年25nm，直到今天的20nm制程技術(shù)，在過去的五年中三星的DRAM晶體管技術(shù)發(fā)生了翻天覆地的變化。

雖然NAND閃存已經(jīng)率先走向個位數(shù)納米工藝，（雖然在19nm水平呆了一段時間） ， 但是DRAM仍然保有相當?shù)母偁幜Α?/p>

NAND閃存不同大小的模具

在DRAM當中，每個單元都有一個電容器，并且通過晶體管彼此連接，而NAND中每個單元只有一個晶體管。

三星表示能夠完善其DRAM的設(shè)計和制造技術(shù)，并提出了一個“雙成型技術(shù)和ALD。 ”在微電路，如DRAM或NAND閃存，高密集的納米結(jié)構(gòu)是必需的。ALD是使薄膜具有精確均勻沉積的納米結(jié)構(gòu)技術(shù)。雙成型技術(shù)，簡單地說，是一個加倍功能模塊數(shù)量的方法。

三星表示，雙重圖形技術(shù)是一個具有里程碑意義的技術(shù)。通過使用當前的光刻設(shè)備來生產(chǎn)20nm的DDR3，它已經(jīng)找到了一個生產(chǎn)下一代10納米級DRAM的核心技術(shù)。

三星還成功做出超薄介電層的單元電容器，具有前所未有的均勻性，帶來更高的性能。

采用新的工藝，三星的4Gbit DDR3的20nm比25納米DDR3提高了30%的生產(chǎn)效率，比30納米級DDR3提高了超過兩倍的生產(chǎn)效率。

“新的20納米4GB DDR3比起之前的25納米制程技術(shù)的DDR3可以節(jié)省25％的電量 ”三星表示。

三星已經(jīng)開始提供新的DDR3芯片給了一部分廠商，預(yù)計將在今年晚些時候推出的相關(guān)產(chǎn)品。