三星20nm 4Gbit LPDDR2內(nèi)存將量產(chǎn)(圖片引自互聯(lián)網(wǎng))

三星方面也希望20nm工藝的4Gbit LPDDR2顆粒能取代30nm工藝產(chǎn)品。目前像日版三星GALAXY S III以及LG Optimus LTE 2都有跡象表示會采用2GB內(nèi)存。三星方面預(yù)測稱，20nm內(nèi)存在2012年會擁有13%市場占有率;在2013年將會擁有49%的市場占有率;2014年這個數(shù)字會達(dá)到63%。屆時手機(jī)和平板的主流內(nèi)存也會上升到2GB。

zhangcun