• 銅半導體—-銅的導電能力比鋁強40%。IBM的研究員率先利用鎢來制造銅芯片，其運行速度大大高于鋁芯片。


• 硅鍺（SiGe）—-硅鍺被應用于雙極芯片的生產(chǎn)，取代昂貴的砷化鎵制程。硅鍺技術(shù)使工作頻率、電流、噪音和功率等方面的性能表現(xiàn)得到顯著提高，特別是對于現(xiàn)代移動無線設備。


• 絕緣硅（SOI）—-在硅表面和晶體管之間放一層薄絕緣體，可以保護晶體管免受電效應的影響，從而提高性能、降低功耗。


• 應力硅—-這種技術(shù)可以拉伸（或延展）硅，從而加速電子流經(jīng)芯片的速度，在不縮小體積的條件下提高性能、降低功耗。如配合絕緣硅使用應力硅，可進一步提高性能、降低功耗。


• 化學增強型光阻材料—-此項創(chuàng)新利用靈敏的光敏化學制劑，將超小電路的性能轉(zhuǎn)移到硅片上，實現(xiàn)可靠的生產(chǎn)。

    科技獎章是于1980年根據(jù)一份國會法案設立的，在1985年首次頒發(fā)。該獎章的目的在于強調(diào)科技創(chuàng)新對國家的重要性，激勵一代又一代的美國人積極追求科技事業(yè)，以確保美國始終位于全球科技和經(jīng)濟的最前沿。IBM上次榮獲科技獎章是在2000年，原因是其在硬盤驅(qū)動器技術(shù)和信息存儲產(chǎn)品領域的創(chuàng)新。

多易