Fin FET技術(shù)抑制短溝道效應
英特爾最近在公司文檔中宣布廢止了“Tick-Tock”芯片發(fā)展周期，第三代Skylake架構(gòu)處理器將在今年第三季度發(fā)布，，從下一代10納米制程CPU開始，英特爾會采用“制程-架構(gòu)-優(yōu)化”(PAO)的三步走戰(zhàn)略。
據(jù)披露，從22納米到14納米英特爾采用了兩步走，限于工藝發(fā)展變緩，英特爾不縮小線寬，而是升級CPU核心架構(gòu)。Skylake的發(fā)布時間比預料晚半年。當進入10納米制程后，原本的芯片周期已經(jīng)無法適應每年發(fā)布一代CPU，英特爾必須延長每一代制程的生命周期，也就是說每一代制程將沿用3年。
10納米制程還將面臨芯片制造的難題，因為10納米僅僅相當于20個硅原子寬度。這與2007年的情況非常類似。微軟在文檔中表示，優(yōu)化芯片制程和架構(gòu)將維持每年發(fā)布一代CPU的市場需求。
與競爭對手三星和臺積電相比，英特爾在10納米芯片技術(shù)上保持領(lǐng)先優(yōu)勢。英特爾相信未來芯片的制造會越來越困難，相比競爭對手的優(yōu)勢會愈加明顯。然而，臺積電此前曾表示，計劃在2020年推出5納米制程的芯片。隨著摩爾定律的失效，IBM公司已經(jīng)開始研究納米碳管和石墨烯材料的芯片。不過英特爾前CEO保羅·歐德寧CPU芯片基本材料在未來幾十年內(nèi)還會是硅。
