和RAM一樣快的永久存儲被廣泛認(rèn)為會使服務(wù)器和存儲行業(yè)擺脫一年或三年的換代周期，而這個改變?nèi)缃耠S著美國公司Everspin開始提供256Mb磁阻式隨機(jī)存取存儲器(MRAM)樣品更近了一步。

Everspin 稱該產(chǎn)品為轉(zhuǎn)矩MRAM(ST-MRAM)，它是第三代產(chǎn)品——2012年第一代芯片出現(xiàn)，比NAND閃存速度快500倍，但只能容納64 Mbit的 數(shù)據(jù)。MRAM類似DDR3或DDDR4 RAM，但MRAM為非易失性——通電時數(shù)據(jù)不會消失——同時還比閃存快。硬件行業(yè)的所有相關(guān)人士都在致力于某些類似MRAM的產(chǎn)品上，因為真正快速地永久存儲實在有太多好的用途。

Everspin是目前唯一一家出售此類產(chǎn)品的公司，但直到現(xiàn)在也是在64MB chunk(組塊)以內(nèi)。一個DIMM插槽僅用作64Mb容量存儲自然不能讓MRAM成為主流。Everspin稱它還希望在年底出1GB MRAM產(chǎn)品。

這個DDR接口又快又漂亮——DDR4 RAM可達(dá)19,000 MB/s——而Everspin宣稱其寫入速度比NAND閃存快10,000倍。

當(dāng)然，在這個芯片成為主流選項之前還有一系列問題，從服務(wù)器制造商需要適應(yīng)MRAM以便機(jī)器操作系統(tǒng)能夠讓MRAM工作開始，然后要了解雖然位于DIMM接口內(nèi)，它也是一個永久存儲層。IBM開始亮出了一款針對Power8系統(tǒng)的驅(qū)動器，Everspin也表示正在和其它服務(wù)器制造商交流中。距離盒子的到來不遠(yuǎn)了。

密度是另一個要擔(dān)心的問題——服務(wù)器只能有很多DIMM，并且這類應(yīng)用程序類似快速存儲和許多內(nèi)存。Everspin表示它一直致力于6GB MRAM，該產(chǎn)品有助于密度，對將要接受的挑戰(zhàn)表現(xiàn)地自信滿滿。

然后是成本。Everspin沒有透露這款256Mb產(chǎn)品的明確價位，只說對比為了強(qiáng)化服務(wù)器而保持RAM通電的成本那是極具競爭性的。

除此之外，該公司還認(rèn)為從長遠(yuǎn)來看它還會有成本彌補(bǔ)，因為它的MRAM被制造成300納米的晶圓，是一個具有成本效益的進(jìn)程。

崔歡歡