近期英特爾透露了其多年來在非易失性數(shù)據(jù)存儲領(lǐng)域內(nèi)可以說是最重大技術(shù)——3D XPoint存儲器(Optane)的發(fā)布時間線。由以下這張臺灣省科技新聞網(wǎng)站benchlife.info貼出的幻燈片顯示該產(chǎn)品線將在今年末推出，并可能搭配Kaby Lake處理器平臺上線。
Intel Optane 3D XPoint時間線
根據(jù)上圖可知，Optane可能會首次出現(xiàn)在一些SSD生產(chǎn)線中，從2016年末的Mansion Beach產(chǎn)品開始，緊接著Brighton Beach和Stony Beach。
Mansion Beach SSD產(chǎn)品線將采用NVMe PCIe Gen 3 x4配置(有4個I/O通道)，允許其直接放置在系統(tǒng)主板上。
而Stony Beach與Mansion Beach幾乎是前后腳，Stony Beach將作為一款PCIe/NVMe SSD首次發(fā)布，并作為一項服務(wù)器加速技術(shù)被推向市場,也許如當(dāng)年 OCZ Synapse Cache SSD或類似產(chǎn)品，旨在輔助一般硬盤，改善其讀寫響應(yīng)時間。
2017年第一季度某時將推出Brighten Beach并以一款采用PCIe 3.0 x2配置的較低端產(chǎn)品呈現(xiàn)。
Brighten Beach之后，Carson Beach會推出一款支持PCIe 3.0 x4的M.2卡，同時，球柵陣列(BGA)將直接聯(lián)接到計算機(jī)主板，并充當(dāng)一個第二代英特爾的“系統(tǒng)加速器”。
2017年，除了第二代PCIe和SATA 3D NAND閃存產(chǎn)品之外，英特爾還計劃了一次Mansion Beach升級。
大概一年前，英特爾和美光公司聯(lián)合推出了Optane。
3D Xpoint對比（各項技術(shù)的延遲檢測——左向右依次為毫秒，微秒，納秒）
盡管英特爾和美光將3D XPoint RAM視為“1989年以來，首款新型存儲器”，但提及浮柵NAND，大多數(shù)專家認(rèn)為它是一個基于128Gbit芯片的電阻式RAM(ReRAM)存儲器。
兩家公司稱其對比NAND閃存速度快1000倍，具有1000倍的耐久性即可承受約100萬次擦寫周期，這代表該款新型存儲器可永久使用。
從根本上說，Optane技術(shù)是一項海量存儲級內(nèi)存技術(shù)，雖然速度比DRAM慢，但投入生產(chǎn)卻比DRAM要便宜，還比NAND速度快。另外其具有非易失性，斷電情況下數(shù)據(jù)可保持完整，這點跟NAND閃存一樣。
相比之下，現(xiàn)有NAND閃存只能承受3000到10000次擦寫周期。采用耗損平衡和糾錯軟件，周期數(shù)雖然可以得到改善，但跟100000次擦寫周期仍相去甚遠(yuǎn)。
所以兩家公司就3D XPoint宣稱，它是25年來的首款新型存儲器類型。按照研究分析師的說法，英特爾和美光絕沒有夸大其詞。3D XPoint是居于DRAM和NAND閃存之間的甜蜜點，某些情況下，在一些企業(yè)數(shù)據(jù)中心能夠取代這兩者，然后最終，在消費者臺式機(jī)和筆記本方面取代這兩者。
在之前的聲明里，英特爾計劃也相當(dāng)明確，今年發(fā)售Optane產(chǎn)品。從benchlife.info獲得的文件中再次說明它們將在2016年末面市。
3D XPoint技術(shù)是一款由英特爾和美光聯(lián)合推出的新型非易失性存儲器，依靠大量材料的電阻變化獲取非易失性。它利用大量材料切換電阻狀態(tài)，而不是依賴可變絲狀體實現(xiàn)生產(chǎn)。存儲單元和選擇器內(nèi)的架構(gòu)和獨特材料相結(jié)合使3D XPoint可實現(xiàn)更高地密度，更強(qiáng)地性能和更大耐久性。
英特爾在深圳舉辦的開發(fā)者論壇上表示，Optane已經(jīng)達(dá)到NAND 閃存的10倍密度并將讓SSD實現(xiàn)在M.2卡里存儲超過1TB數(shù)據(jù)，厚度僅為1.5毫米。
“這對筆記本產(chǎn)品非常好，”英特爾高級副總裁Rob Cooke在該會議中如是說。
