全閃存陣列供應(yīng)商Kaminario運(yùn)營(yíng)要比Pure Storage早一年,但在銷(xiāo)售方面略顯遜色。然而它已經(jīng)開(kāi)始表示要大大加快其技術(shù)的發(fā)展。
Kaminario由k-block模塊構(gòu)建的K2擴(kuò)展型陣列的營(yíng)收我們無(wú)從知曉,但I(xiàn)DC公司告訴我們:“Kaminario營(yíng)收比Violin要高很多,但我們不會(huì)公開(kāi)發(fā)布。” 而Violin的最新?tīng)I(yíng)收似乎意指其4000萬(wàn)美元產(chǎn)品+服務(wù)的年?duì)I收運(yùn)轉(zhuǎn)率。
IDC公司將Kaminario營(yíng)收歸入“其它”分類(lèi),然后直接拋出了這項(xiàng)分類(lèi)在2016年第一季度營(yíng)收總數(shù)——3.684億美元。這里,甲骨文營(yíng)收340萬(wàn)美元,然后富士通780萬(wàn)美元,華為1600萬(wàn)美元,以及NetApp營(yíng)收3.284億美元,Pure3.411億美元。這就是說(shuō),Kaminario營(yíng)收為1000萬(wàn)美元以上,而且可能在5000萬(wàn)美元以?xún)?nèi)。
在非易失性存儲(chǔ)方面的技術(shù)創(chuàng)新會(huì)出現(xiàn)復(fù)蘇,這為公司提供了一個(gè)表現(xiàn)自身?yè)碛歇?dú)特技術(shù)遠(yuǎn)見(jiàn)的機(jī)會(huì),而這個(gè)技術(shù)遠(yuǎn)見(jiàn)將大幅提升公司的客戶(hù)AFA體驗(yàn)。
Kaminario CTO,Shachar Fienblit確定了五個(gè)推動(dòng)未來(lái)存儲(chǔ)發(fā)展的非易失性存儲(chǔ)趨勢(shì):
3D NAND;
非易失性(存儲(chǔ))內(nèi)存——3D XPoint, ReRAM;
NVMe;
NVMe 結(jié)構(gòu);
NVMe Network Shelves。
他還進(jìn)行了一些關(guān)于這些變化將如何影響存儲(chǔ)的假設(shè)。
3D NAND(以及可能的QLC)仍占主導(dǎo)地位。NAND密度(成本)還會(huì)繼續(xù)下降。在同一制程增加更多的層會(huì)大大提高錯(cuò)誤校驗(yàn)和糾錯(cuò)能力,這意味著耐久性會(huì)降低。Fienblit斷言NAND將繼續(xù)主導(dǎo)存儲(chǔ)介質(zhì)并將取代數(shù)據(jù)中心的HDD。
3D XPoint, ReRAM等其它類(lèi)似技術(shù)將提高NVMe性能,但后者價(jià)格會(huì)是閃存和DRAM的中間價(jià)位。3d XPoint DIMM約1微秒性能自是比閃存快得多,但對(duì)比DRAM仍是望塵莫及。再加上這些新的NVMe技術(shù)要取代NAND實(shí)在太貴,主要還是用在刀刃上。所以,5年以上時(shí)間它都無(wú)法取代NAND。
NVMe比SCSI要有效率得多,將很快取代SATA成為直連方案。言下之意就是它對(duì)全閃存陣列而言效益不高,因?yàn)檫@些系統(tǒng)已經(jīng)集成了一些SSD的性能??刂破魇瞧款i,所以降低磁盤(pán)到控制器之間的延遲不大容易。
NVMe結(jié)構(gòu)提高了本地NVMe接口的效率。他認(rèn)為100GbitE ROCE RDMA會(huì)碾壓其它選擇方案,尤其是光纖通道RDMA。但客戶(hù)采用率提高會(huì)相對(duì)緩慢。
他還稱(chēng)看到NVMe shelves(機(jī)架)即將到來(lái)。以下是NVMe SSD shelves與RDMA網(wǎng)絡(luò)的連接。這會(huì)進(jìn)一步改善解耦能力。
Kaminario的NVMe fabrics shelves方案
短期內(nèi)NVMe不會(huì)帶來(lái)性能變革,因?yàn)閺腟ATA SSD直接到NVMe SSD (NAND MLC PCIe x4 Gen 3 ONR3)的訪問(wèn)延遲僅僅是從110微秒到95微秒的下降,這里采用了2015年英特爾的數(shù)字。
未來(lái)的NVMe PCIe x4 Gen 3將擁有20微秒延遲。Fienblit稱(chēng)如果我們排除數(shù)據(jù)服務(wù)和數(shù)據(jù)壓縮,NVMe SSD能夠提供3-4倍的性能提升。閃存介質(zhì)保留延遲瓶頸直至/除非它被3D XPoint拍到沙灘上。
新型高性能技術(shù)對(duì)主流應(yīng)用而言實(shí)在太貴,而且將進(jìn)入如利基,0層應(yīng)用程序市場(chǎng)。這絕不會(huì)造成AFA世界的“地心毀滅”。
關(guān)于Kaminario的計(jì)劃:
使用改善的NAND和繼續(xù)使用最具成本效益的SSD,同時(shí)采用其自身耐久性?xún)?yōu)化功能。
采用3D XPoint取代DRAM用于緩存元數(shù)據(jù)和數(shù)據(jù),實(shí)現(xiàn)更好的成本/性能。
部署NVMe結(jié)構(gòu)用于外部連通性。
采用改善的NVMe, NVMeF, NVMe Network Shelves并成為“在全閃存陣列可擴(kuò)展性,成本效率和靈活性方面的一個(gè)突破性進(jìn)展”。