全閃存陣列供應(yīng)商Kaminario運(yùn)營要比Pure Storage早一年，但在銷售方面略顯遜色。然而它已經(jīng)開始表示要大大加快其技術(shù)的發(fā)展。
Kaminario由k-block模塊構(gòu)建的K2擴(kuò)展型陣列的營收我們無從知曉，但I(xiàn)DC公司告訴我們：“Kaminario營收比Violin要高很多，但我們不會公開發(fā)布?！?而Violin的最新營收似乎意指其4000萬美元產(chǎn)品+服務(wù)的年?duì)I收運(yùn)轉(zhuǎn)率。
IDC公司將Kaminario營收歸入“其它”分類，然后直接拋出了這項(xiàng)分類在2016年第一季度營收總數(shù)——3.684億美元。這里，甲骨文營收340萬美元，然后富士通780萬美元，華為1600萬美元，以及NetApp營收3.284億美元，Pure3.411億美元。這就是說，Kaminario營收為1000萬美元以上，而且可能在5000萬美元以內(nèi)。
在非易失性存儲方面的技術(shù)創(chuàng)新會出現(xiàn)復(fù)蘇，這為公司提供了一個表現(xiàn)自身擁有獨(dú)特技術(shù)遠(yuǎn)見的機(jī)會，而這個技術(shù)遠(yuǎn)見將大幅提升公司的客戶AFA體驗(yàn)。
Kaminario CTO，Shachar Fienblit確定了五個推動未來存儲發(fā)展的非易失性存儲趨勢：
3D NAND;
非易失性(存儲)內(nèi)存——3D XPoint, ReRAM;
NVMe;
NVMe 結(jié)構(gòu);
NVMe Network Shelves。
他還進(jìn)行了一些關(guān)于這些變化將如何影響存儲的假設(shè)。
3D NAND(以及可能的QLC)仍占主導(dǎo)地位。NAND密度(成本)還會繼續(xù)下降。在同一制程增加更多的層會大大提高錯誤校驗(yàn)和糾錯能力，這意味著耐久性會降低。Fienblit斷言NAND將繼續(xù)主導(dǎo)存儲介質(zhì)并將取代數(shù)據(jù)中心的HDD。
3D XPoint, ReRAM等其它類似技術(shù)將提高NVMe性能，但后者價格會是閃存和DRAM的中間價位。3d XPoint DIMM約1微秒性能自是比閃存快得多，但對比DRAM仍是望塵莫及。再加上這些新的NVMe技術(shù)要取代NAND實(shí)在太貴，主要還是用在刀刃上。所以，5年以上時間它都無法取代NAND。
NVMe比SCSI要有效率得多，將很快取代SATA成為直連方案。言下之意就是它對全閃存陣列而言效益不高，因?yàn)檫@些系統(tǒng)已經(jīng)集成了一些SSD的性能?？刂破魇瞧款i，所以降低磁盤到控制器之間的延遲不大容易。
NVMe結(jié)構(gòu)提高了本地NVMe接口的效率。他認(rèn)為100GbitE ROCE RDMA會碾壓其它選擇方案，尤其是光纖通道RDMA。但客戶采用率提高會相對緩慢。
他還稱看到NVMe shelves(機(jī)架)即將到來。以下是NVMe SSD shelves與RDMA網(wǎng)絡(luò)的連接。這會進(jìn)一步改善解耦能力。
Kaminario的NVMe fabrics shelves方案
短期內(nèi)NVMe不會帶來性能變革，因?yàn)閺腟ATA SSD直接到NVMe SSD (NAND MLC PCIe x4 Gen 3 ONR3)的訪問延遲僅僅是從110微秒到95微秒的下降，這里采用了2015年英特爾的數(shù)字。
未來的NVMe PCIe x4 Gen 3將擁有20微秒延遲。Fienblit稱如果我們排除數(shù)據(jù)服務(wù)和數(shù)據(jù)壓縮，NVMe SSD能夠提供3-4倍的性能提升。閃存介質(zhì)保留延遲瓶頸直至/除非它被3D XPoint拍到沙灘上。
新型高性能技術(shù)對主流應(yīng)用而言實(shí)在太貴，而且將進(jìn)入如利基，0層應(yīng)用程序市場。這絕不會造成AFA世界的“地心毀滅”。
關(guān)于Kaminario的計(jì)劃：
使用改善的NAND和繼續(xù)使用最具成本效益的SSD，同時采用其自身耐久性優(yōu)化功能。
采用3D XPoint取代DRAM用于緩存元數(shù)據(jù)和數(shù)據(jù)，實(shí)現(xiàn)更好的成本/性能。
部署NVMe結(jié)構(gòu)用于外部連通性。
采用改善的NVMe, NVMeF, NVMe Network Shelves并成為“在全閃存陣列可擴(kuò)展性，成本效率和靈活性方面的一個突破性進(jìn)展”。
