第一種采用45納米技術(shù)的電路主要用于下一代通信系統(tǒng)，它已在使用這種制程技術(shù)的硅片上得到了驗證，該制程技術(shù)由合作聯(lián)盟的成員聯(lián)合開發(fā)，并由設(shè)在紐約州East Fishkill的IBM 300毫米晶元生產(chǎn)線制造，合作聯(lián)盟的聯(lián)合開發(fā)團隊同時也設(shè)置于此。成功通過驗證的模塊中包括英飛凌提供的標準庫單元和I/O組件，以及由聯(lián)盟開發(fā)的嵌入式存儲器。英飛凌在第一批300毫米晶元上安裝了特殊的電路，用于調(diào)試復雜的加工過程以獲得產(chǎn)品架構(gòu)交互方面的經(jīng)驗。

    英飛凌科技董事兼通信解決方案業(yè)務集團總裁Hermann Eul先生表示：“這一成果是我們成功戰(zhàn)略中又一里程碑，這一戰(zhàn)略就是盡早使用最先進的技術(shù)平臺開發(fā)最佳的產(chǎn)品解決方案。這是第一種45納米結(jié)構(gòu)，代表了我們最先進的技術(shù)，它融合了多種高性能和低功耗設(shè)計。這種解決方案非常適合滿足下一代移動應用的需要?！?/P>

    設(shè)計包的開發(fā)融合了4家公司的設(shè)計專家知識，可以推動芯片客戶的設(shè)計人員更早地轉(zhuǎn)向這種新的工藝，并繼續(xù)推動所謂的“一項設(shè)計、多工廠加工制造”能力，最大程度地發(fā)揮設(shè)計的作用并為客戶帶來益處。45納米低功耗制程有望在2007年年底之前在特許、IBM和三星300mm的工廠中完成安裝并通過全面質(zhì)量鑒定。

    IBM半導體研發(fā)副總裁兼聯(lián)盟聯(lián)合開發(fā)負責人Lisa Su女士表示：“在第一種45納米制程技術(shù)開發(fā)并向客戶交付的過程中所表現(xiàn)出來的速度、創(chuàng)新和完整性，展示了4家公司合作為客戶帶來的不斷增強的價值以及優(yōu)勢。我們硬件的初步結(jié)果顯示，45納米節(jié)點設(shè)備的性能表現(xiàn)至少比65納米節(jié)點高出30%，產(chǎn)品開發(fā)人員可以充滿信心地根據(jù)這種制程進行設(shè)計。與單打獨斗相比，充分利用這一由業(yè)界領(lǐng)先廠商組成的聯(lián)盟在世界各地所擁有的重要研發(fā)和IP（知識產(chǎn)權(quán)）資源，我們可以大大提高向市場提供制造技術(shù)，以及為支持各種設(shè)計做好準備的速度和有效性。另外，我們還給客戶帶來了另一個優(yōu)勢??各制造工廠都實現(xiàn)了GDSII兼容，客戶因此而能夠靈活地獲得這種技術(shù)。”

    三星電子系統(tǒng)大規(guī)模集成電路部尖端技術(shù)開發(fā)團隊副總裁Ho-Kyu Kang先生表示：“IBM、特許、英飛凌與三星之間進行的這一獨一無二的合作減少了應用尖端制程技術(shù)的內(nèi)在風險。我們的客戶可以在開發(fā)領(lǐng)先設(shè)計包和制程技術(shù)的過程中充分利用我們在系統(tǒng)層面、產(chǎn)品設(shè)計和制造專家知識的綜合優(yōu)勢?！?BR>  

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