TR200由東芝聯(lián)合饑餓鯊團(tuán)隊(duì)共同研發(fā)打造，其系列全部采用2.5英寸標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格，使用東芝全新的3bit-per-cell TLC(1個存儲器存儲單元可存放3比特的數(shù)據(jù))BiCS FLASH?存儲器，為電腦游戲玩家和DIY愛好者提供公司首款采用64層3D閃存的升級版SSD。

作為NAND閃存的發(fā)明人，東芝自行研發(fā)的3D FlASH使用的是BiCS技術(shù)。BiCS FLASH?是垂直堆棧的三維(3D)閃存，相比其前一代的先進(jìn)技術(shù)，即二維(2D)NAND閃存，BiCS FLASH?中的存儲器單元間隔比2D NAND閃存更大。這就可以通過增加單次編程序列的數(shù)據(jù)量來提高編程速度，同時也降低了每個編程數(shù)據(jù)單元的功耗。另外BiCS FLASH?的寬存儲器單元間隔相比于2D NAND閃存而言，降低了單元的耦合性，提高了可靠性。

TR200 SSD系列具有高于傳統(tǒng)硬盤(HDD)的系統(tǒng)響應(yīng)能力和數(shù)據(jù)讀寫能力，為改善筆記本電腦和臺式電腦的用戶體驗(yàn)提供了一種簡單、便捷的方式。TR200系列采用6 Gbit/s SATA標(biāo)準(zhǔn)接口，順序讀寫性能分別達(dá)到555 MB/s和540 MB/s(*以上數(shù)據(jù)來源于東芝測試結(jié)果，因測試環(huán)境和平臺不同，測試結(jié)果可能會有變化，以上數(shù)據(jù)僅供參考)。隨機(jī)讀寫性能分別達(dá)到80000 IOPS (隨機(jī)讀取速度)和87000 IOPS(隨機(jī)寫入速度) 并且，在保持高速傳輸?shù)耐瑫r，運(yùn)行功耗大幅降低，從而可以為長時間使用的用戶或者無法及時充電的用戶延長電池使用時間。

為滿足不同消費(fèi)者的需求，東芝TR200此次提供三種容量：240GB、480GB和960GB，全方位為用戶考慮。東芝作為閃存世界的締造者，于1984年成功地開發(fā)出了新一代的半導(dǎo)體存儲器—閃存。此后，又開發(fā)了被廣泛應(yīng)用于眾多類型存儲卡和應(yīng)用設(shè)備中的NAND閃存，引領(lǐng)著存儲行業(yè)不停向前邁進(jìn)。此次發(fā)布的64層3D NAND固態(tài)硬盤——TR200依然是延續(xù)了東芝一貫的優(yōu)秀做工和可靠性能，以用戶的需求為目標(biāo)，完美迎合每一個細(xì)節(jié)，使用戶買的開心，用的放心!

東芝TR200將于10月30日在京東首發(fā)上市，想第一時間感受高效啟動與加載速度嗎，那趕緊前往東芝存儲官方旗艦店了解詳情吧!

songjy