大咖齊聚：

紫光集團(tuán)董事長趙偉國

藍(lán)思科技集團(tuán)董事長周群飛

順豐控股集團(tuán)董事長王衛(wèi)

萬科集團(tuán)總裁祝九勝

平安集團(tuán)總經(jīng)理任匯川

大族激光董事長高云峰

歐菲科技集團(tuán)董事長蔡榮軍

華潤置地控股有限公司董事局副主席唐勇

全國臺(tái)企聯(lián)會(huì)長、

東莞臺(tái)升家具有限公司董事長郭山輝

東莞莞商聯(lián)合會(huì)會(huì)長、

東莞市嶺南生態(tài)文旅股份有限公司董事長尹洪衛(wèi)

大族激光科技產(chǎn)業(yè)集團(tuán)董事長高云峰

正中投資集團(tuán)總裁鄧學(xué)勤

碧桂園集團(tuán)副總裁林昭憲

會(huì)議期間，組織了29個(gè)重特招商項(xiàng)目在現(xiàn)場(chǎng)集中簽約，涉及協(xié)議投資金額超過4000億元。其中，重大產(chǎn)業(yè)項(xiàng)目19個(gè)、科技創(chuàng)新平臺(tái)項(xiàng)目5個(gè)、城市更新項(xiàng)目5個(gè)。還有30個(gè)城市更新項(xiàng)目進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)推介。本次簽約項(xiàng)目涉及高端智能制造產(chǎn)業(yè)、戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)以及科技創(chuàng)新合作、城市更新合作等領(lǐng)域，不乏行業(yè)龍頭企業(yè)，項(xiàng)目科技含量高、經(jīng)濟(jì)效益好。 廣大投資企業(yè)落戶東莞，將極大地推動(dòng)?xùn)|莞產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)、促進(jìn)東莞經(jīng)濟(jì)又快又好發(fā)展。

1nm晶體管誕生

援引VoidSee消息，勞倫斯伯克利國家實(shí)驗(yàn)室的一個(gè)團(tuán)隊(duì)打破了物理極限，將現(xiàn)有最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm。晶體管的制程大小一直是計(jì)算技術(shù)進(jìn)步的硬指標(biāo)。晶體管越小，同樣體積的芯片上就能集成更多，這樣一來處理器的性能和功耗都能會(huì)獲得巨大進(jìn)步。

多年以來，技術(shù)的發(fā)展都在遵循摩爾定律，即當(dāng)價(jià)格不變時(shí)，集成電路上可容納的元器件的數(shù)目，約每隔18-24個(gè)月便會(huì)增加一倍，性能也將提升一倍。換言之，每一美元所能買到的電腦性能，將每隔18-24個(gè)月翻一倍以上。眼下，我們使用的主流芯片制程為14nm，而明年，整個(gè)業(yè)界就將開始向10nm制程發(fā)展。

不過放眼未來，摩爾定律開始有些失靈了，因?yàn)閺男酒闹圃靵砜矗?nm就是物理極限。一旦晶體管大小低于這一數(shù)字，它們?cè)谖锢硇螒B(tài)上就會(huì)非常集中，以至于產(chǎn)生量子隧穿效應(yīng)，為芯片制造帶來巨大挑戰(zhàn)。因此，業(yè)界普遍認(rèn)為，想解決這一問題就必須突破現(xiàn)有的邏輯門電路設(shè)計(jì)，讓電子能持續(xù)在各個(gè)邏輯門之間穿梭。

此前，英特爾等芯片巨頭表示它們將尋找能替代硅的新原料來制作7nm晶體管，現(xiàn)在勞倫斯伯克利國家實(shí)驗(yàn)室走在了前面，它們的1nm晶體管由納米碳管和二硫化鉬（MoS2）制作而成。MoS2將擔(dān)起原本半導(dǎo)體的職責(zé)，而納米碳管則負(fù)責(zé)控制邏輯門中電子的流向。

據(jù)白宮官網(wǎng)報(bào)道，美國東部時(shí)間22日，2015年美國最高科技獎(jiǎng)獲獎(jiǎng)名單公布，包括9名國家科學(xué)獎(jiǎng)獲得者（National Medal of Science）和8名國家技術(shù)和創(chuàng)新獎(jiǎng)（National Medal of Technology and Innovation）獲得者。其中美籍華人科學(xué)家胡正明榮獲年度國家技術(shù)和創(chuàng)新獎(jiǎng)。

胡正明教授是鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）的發(fā)明者，如今三星、臺(tái)積電能做到14nm/16nm都依賴這項(xiàng)技術(shù)。他1947年出生于北京豆芽菜胡同，在臺(tái)灣長大，后來考入加州大學(xué)伯克利分校。

在華為海思麒麟950的發(fā)布會(huì)上，胡正明教授曾現(xiàn)身VCR，據(jù)他介紹，F(xiàn)inFET的兩個(gè)突破，一是把晶體做薄后解決了漏電問題，二是向上發(fā)展，晶片內(nèi)構(gòu)從水平變成垂直。

胡認(rèn)為，F(xiàn)inFET的真正影響是打破了原來英特爾對(duì)全世界宣布的將來半導(dǎo)體的限制，這項(xiàng)技術(shù)現(xiàn)在仍看不到極限。

2010年后，Bulk CMOS工藝技術(shù)在20nm走到盡頭，胡教授的FinFET和FD-SOI工藝發(fā)明得以使摩爾定律在今天延續(xù)傳奇。

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