上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所納米技術(shù)研究室主任 宋志棠

宋志棠是上海微系統(tǒng)所納電子材料與器件學(xué)科帶頭人，國內(nèi)PCRAM材料與器件研究的開創(chuàng)者，國家集成電路重大專項(xiàng)PCRAM項(xiàng)目和973項(xiàng)目首席科學(xué)家與項(xiàng)目負(fù)責(zé)人。主要研究方向?yàn)橄嘧兇鎯Σ牧吓c器件、納米拋光液等，主張與產(chǎn)業(yè)結(jié)合開展相變存儲器（PCRAM）研發(fā)，并與中芯國際和Microchip聯(lián)合建立了12英寸PCRAM專用技術(shù)平臺，開發(fā)出了我國第一款PCRAM芯片，在中國首次將PCRAM芯片推向量產(chǎn)。本次大會宋主任將為你帶來相變存儲介質(zhì)的發(fā)展與最新研究發(fā)現(xiàn)。

復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院副院長 張衛(wèi)

張衛(wèi)教授自1997年以來在集成電路先導(dǎo)工藝技術(shù)、半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體材料等方面開展系統(tǒng)研究，并取得如先進(jìn)銅互連技術(shù)、新型阻變存儲器和半浮柵器件等創(chuàng)新性成果。今年集芯片成為當(dāng)下科技領(lǐng)域最熱詞語沒有之一，被認(rèn)為是國際競爭中的決勝領(lǐng)域。張教授曾指出核心器件將引領(lǐng)集成電路的創(chuàng)新發(fā)展。其主要研究的半浮柵晶體管是一種新型微電子基礎(chǔ)器件，結(jié)合了隧穿場效應(yīng)晶體管（TEET）和浮柵晶體管構(gòu)建，致力于解決我國集成電路主流技術(shù)方向選擇和可靠技術(shù)來源問題。現(xiàn)在大家對了解半浮柵晶體管的應(yīng)用是不是有點(diǎn)小期待呢？

中電?？雕Y拓科技有限公司總經(jīng)理 劉波

2015年，劉波博士帶領(lǐng)中電?？荡判鎯κ聵I(yè)部正式注冊成立為“浙江?？雕Y拓科技有限公司”，成為中電?？导瘓F(tuán)有限公司旗下獨(dú)立子公司。去年11月，由海康馳拓主導(dǎo)，總投入達(dá)13.5億元的中電海康磁旋存儲芯片研發(fā)及中試基地項(xiàng)目(新型存儲芯片—STT-MRAM)正式落戶青山湖科技城。?？雕Y拓專注新型高速非易失存儲技術(shù)MRAM的研發(fā)，在劉博士的演講中，就當(dāng)前的DRAM技術(shù)VS創(chuàng)新型MRAM技術(shù)，將會碰撞出怎樣的火花呢？

教育部長江學(xué)者特聘教授、華中科技大學(xué)武漢國際微電子學(xué)院副院長 繆向水

繆教授主要研究領(lǐng)域?yàn)橄嘧兇鎯ζ?、憶阻器、磁存儲器、光存儲等信息存儲材料與器件。當(dāng)前，我國每年進(jìn)口額高達(dá)2600億美元，其中四分之一為存儲器，95%的存儲器芯片依靠進(jìn)口，因此實(shí)現(xiàn)自主研發(fā)的新一代存儲芯片勢在必行。而繆教授帶領(lǐng)團(tuán)隊(duì)專注基于相變存儲器的3D XPOINT技術(shù)。相變存儲器號稱最有希望取代閃存的候選技術(shù)之一，利用硫系化合物晶體和非晶之間的快速切換進(jìn)行信息擦寫，在晶體管摩爾定律即將結(jié)束時(shí)，形變存儲技術(shù)有望延續(xù)甚至突破摩爾定律，實(shí)現(xiàn)支持服務(wù)于新一代3D XPoint技術(shù)。此次他的演講主題為《相變存儲器及3D XPoint相關(guān)技術(shù)》。

國家千人計(jì)劃專家、四川凱路威電子有限公司董事長兼CEO 彭澤忠

演講主題為《氧化層反熔絲存儲器（XPM-Super Permanent Memory）技術(shù)及應(yīng)用》。氧化層反熔絲存儲器是通過將數(shù)據(jù)存取單元構(gòu)建在超薄絕緣體介質(zhì)(例如柵氧化層)的周圍。然后在超薄絕緣介質(zhì)上施加應(yīng)力而使其擊穿(軟擊穿或硬擊穿)，調(diào)整存儲單元的漏電流水平，從而實(shí)現(xiàn)存儲信息。彭總是XLPMTM技術(shù)和X-RFID技術(shù)的發(fā)明人，2001年創(chuàng)建四川凱路威電子有限公司，專注于新型RFID芯片的設(shè)計(jì)與開發(fā)，目前已研發(fā)出高頻（HF）、超高頻（UHF）兩大系列多款芯片產(chǎn)品，并實(shí)現(xiàn)商用量產(chǎn)。

聚辰半導(dǎo)體資深市場部總監(jiān) 李強(qiáng)

EEPROM（帶電可擦可編程只讀存儲器），可在電腦或?qū)Ｓ迷O(shè)備上擦除已有數(shù)據(jù)，再重新編程寫入數(shù)據(jù)。相比EPROM，EEPROM無需紫外線照射，用特定的電壓，就可以擦除數(shù)據(jù)，并寫入新的數(shù)據(jù)，相比閃存產(chǎn)品在擦寫次數(shù)上有更大優(yōu)勢，再加上更小的尺寸和較低的擦寫電流，在智能手機(jī)市場炙手可熱。而聚辰目前擁有全系列的EEPROM產(chǎn)品，在其技術(shù)與應(yīng)用方面，李強(qiáng)在本次演講中將為我們帶來更多精彩內(nèi)容。

當(dāng)然，除了本論壇外，第二天的論壇還包括

閃存存儲技術(shù)新趨勢論壇（鏈接）

SSD設(shè)計(jì)與控制器技術(shù)論壇（鏈接）

全閃存系統(tǒng)與存儲網(wǎng)絡(luò)技術(shù)論壇（鏈接）

新一代存儲器技術(shù)與應(yīng)用論壇（鏈接）

新一代可靠性與測試技術(shù)論壇（鏈接）