上海微系統(tǒng)與信息技術研究所納米技術研究室主任 宋志棠

宋志棠是上海微系統(tǒng)所納電子材料與器件學科帶頭人，國內PCRAM材料與器件研究的開創(chuàng)者，國家集成電路重大專項PCRAM項目和973項目首席科學家與項目負責人。主要研究方向為相變存儲材料與器件、納米拋光液等，主張與產(chǎn)業(yè)結合開展相變存儲器（PCRAM）研發(fā)，并與中芯國際和Microchip聯(lián)合建立了12英寸PCRAM專用技術平臺，開發(fā)出了我國第一款PCRAM芯片，在中國首次將PCRAM芯片推向量產(chǎn)。本次大會宋主任將為你帶來相變存儲介質的發(fā)展與最新研究發(fā)現(xiàn)。

復旦大學微電子學院副院長 張衛(wèi)

張衛(wèi)教授自1997年以來在集成電路先導工藝技術、半導體器件和半導體材料等方面開展系統(tǒng)研究，并取得如先進銅互連技術、新型阻變存儲器和半浮柵器件等創(chuàng)新性成果。今年集芯片成為當下科技領域最熱詞語沒有之一，被認為是國際競爭中的決勝領域。張教授曾指出核心器件將引領集成電路的創(chuàng)新發(fā)展。其主要研究的半浮柵晶體管是一種新型微電子基礎器件，結合了隧穿場效應晶體管（TEET）和浮柵晶體管構建，致力于解決我國集成電路主流技術方向選擇和可靠技術來源問題。現(xiàn)在大家對了解半浮柵晶體管的應用是不是有點小期待呢？

中電?？雕Y拓科技有限公司總經(jīng)理 劉波

2015年，劉波博士帶領中電?？荡判鎯κ聵I(yè)部正式注冊成立為“浙江海康馳拓科技有限公司”，成為中電海康集團有限公司旗下獨立子公司。去年11月，由?？雕Y拓主導，總投入達13.5億元的中電海康磁旋存儲芯片研發(fā)及中試基地項目(新型存儲芯片—STT-MRAM)正式落戶青山湖科技城。?？雕Y拓專注新型高速非易失存儲技術MRAM的研發(fā)，在劉博士的演講中，就當前的DRAM技術VS創(chuàng)新型MRAM技術，將會碰撞出怎樣的火花呢？

教育部長江學者特聘教授、華中科技大學武漢國際微電子學院副院長 繆向水

繆教授主要研究領域為相變存儲器、憶阻器、磁存儲器、光存儲等信息存儲材料與器件。當前，我國每年進口額高達2600億美元，其中四分之一為存儲器，95%的存儲器芯片依靠進口，因此實現(xiàn)自主研發(fā)的新一代存儲芯片勢在必行。而繆教授帶領團隊專注基于相變存儲器的3D XPOINT技術。相變存儲器號稱最有希望取代閃存的候選技術之一，利用硫系化合物晶體和非晶之間的快速切換進行信息擦寫，在晶體管摩爾定律即將結束時，形變存儲技術有望延續(xù)甚至突破摩爾定律，實現(xiàn)支持服務于新一代3D XPoint技術。此次他的演講主題為《相變存儲器及3D XPoint相關技術》。

國家千人計劃專家、四川凱路威電子有限公司董事長兼CEO 彭澤忠

演講主題為《氧化層反熔絲存儲器（XPM-Super Permanent Memory）技術及應用》。氧化層反熔絲存儲器是通過將數(shù)據(jù)存取單元構建在超薄絕緣體介質(例如柵氧化層)的周圍。然后在超薄絕緣介質上施加應力而使其擊穿(軟擊穿或硬擊穿)，調整存儲單元的漏電流水平，從而實現(xiàn)存儲信息。彭總是XLPMTM技術和X-RFID技術的發(fā)明人，2001年創(chuàng)建四川凱路威電子有限公司，專注于新型RFID芯片的設計與開發(fā)，目前已研發(fā)出高頻（HF）、超高頻（UHF）兩大系列多款芯片產(chǎn)品，并實現(xiàn)商用量產(chǎn)。

聚辰半導體資深市場部總監(jiān) 李強

EEPROM（帶電可擦可編程只讀存儲器），可在電腦或專用設備上擦除已有數(shù)據(jù)，再重新編程寫入數(shù)據(jù)。相比EPROM，EEPROM無需紫外線照射，用特定的電壓，就可以擦除數(shù)據(jù)，并寫入新的數(shù)據(jù)，相比閃存產(chǎn)品在擦寫次數(shù)上有更大優(yōu)勢，再加上更小的尺寸和較低的擦寫電流，在智能手機市場炙手可熱。而聚辰目前擁有全系列的EEPROM產(chǎn)品，在其技術與應用方面，李強在本次演講中將為我們帶來更多精彩內容。

當然，除了本論壇外，第二天的論壇還包括

閃存存儲技術新趨勢論壇（鏈接）

SSD設計與控制器技術論壇（鏈接）

全閃存系統(tǒng)與存儲網(wǎng)絡技術論壇（鏈接）

新一代存儲器技術與應用論壇（鏈接）

新一代可靠性與測試技術論壇（鏈接）