以下內(nèi)容整理自現(xiàn)場速記：

劉明：各位來賓大家上午好！非常感謝馮丹老師的邀請，我是一名科研人員，我的命題是《半導(dǎo)體發(fā)展態(tài)勢與機(jī)遇》。

首先來看現(xiàn)在主流技術(shù)發(fā)展的現(xiàn)狀。

半導(dǎo)體存儲大概分類為非易失性和易失性。我們看到，易失性的存儲器沒有太大的變化，非易失性存儲有很多類，如今最主流的就是閃存。

這些年，發(fā)展出來了很多新型閃存。

閃存從器件層面到架構(gòu)層面經(jīng)過了漫長的時(shí)間。

經(jīng)過長期發(fā)展，存儲在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)當(dāng)中成了一個(gè)份額最大的產(chǎn)業(yè)，占整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的近1/4。

目前，整個(gè)存儲行業(yè)當(dāng)中，中國的閃存基本依賴于進(jìn)口，但同時(shí)中國也是最大的消費(fèi)國。全球DRAM和閃存有壟斷化現(xiàn)象，三星、美光等占據(jù)了95%的DRAM被市場份額。

NAND閃存具有大容量、低成本、低功耗的特點(diǎn)，整個(gè)發(fā)展的進(jìn)度已經(jīng)達(dá)到20納米以下的技術(shù)節(jié)點(diǎn)，這是中國整體的發(fā)展水平。中國在存儲業(yè)投入了很多力量，中國在NAND半導(dǎo)體行業(yè)技術(shù)發(fā)展最快，我們剛剛進(jìn)入DRAM領(lǐng)域。

3D NAND是三星最早提出的一個(gè)技術(shù)，三星在這個(gè)方面投入巨大。2014年，三星開始量產(chǎn)3D NAND，最早把32層3D NAND投向市場，目前64層也已經(jīng)開始量產(chǎn)了，還有了96層3D NAND的計(jì)劃。

新型存儲器技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀-RRAM。即目前沒有大量進(jìn)行生產(chǎn)線生產(chǎn)的，這一類技術(shù)是從物理原則上來看新的新型存儲器。磁存儲的概念得益于物理，大家中學(xué)學(xué)物理都知道,很多材料存在著磁阻效應(yīng)，在大磁場的變化下，其實(shí)這個(gè)材料本身會(huì)測出一個(gè)電阻的變化，這個(gè)電阻就稱為磁阻，但是恰恰自然界很多材料的磁阻是非常弱的，所以我們只有在非常大的磁場下才能測出這個(gè)效應(yīng)。

現(xiàn)在講的磁存儲的應(yīng)用得到更廣泛的應(yīng)用，是22納米節(jié)點(diǎn)引入嵌入式的方案，每一個(gè)技術(shù)有好的地方也有不好的地方。從2000年開始，這個(gè)領(lǐng)域開始熱起來了，所以現(xiàn)在大家投入了很多研究，無論學(xué)術(shù)界還是工業(yè)界都投入了大量的研究。

國內(nèi)存儲研究領(lǐng)域的積累。今天我們大家坐在這里談存儲，退回去五年十年前，中國存儲是沒有什么自主知識產(chǎn)權(quán)可言。大概過去三十年中國在自然基金以外對存儲領(lǐng)域的有許多投入和研發(fā)支持，正因?yàn)橛辛诉@樣的投入，中國也有了一些積累，當(dāng)然，與中國研究人員的努力是分不開的。光學(xué)術(shù)界以外，還有許多項(xiàng)目都是跟產(chǎn)業(yè)界共同合作的。

早年在納米晶存儲器成套技術(shù)，正因?yàn)檫@樣一些積累才有了這樣一些技術(shù)的積累。其實(shí)中國的研究對研究這會(huì)兒的要求很高的，因?yàn)閷W(xué)術(shù)界不光有很好的積累，也需要具備很好的跟產(chǎn)業(yè)合作的經(jīng)驗(yàn)。

最后總結(jié)一下，存儲器是一個(gè)市場很大的產(chǎn)業(yè)，希望大家共同努力。我覺得中國要實(shí)行創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)的發(fā)展戰(zhàn)略，必須要有芯片的支撐。大家談的更多的是商業(yè)模式，但是商業(yè)模式和創(chuàng)新缺一不可。半導(dǎo)體一定是國際化的行業(yè)，一定要在國際化合作共贏的模式下發(fā)展自己的產(chǎn)業(yè)，與此同時(shí)，企業(yè)也要關(guān)注共性和原創(chuàng)性的發(fā)展，謝謝大家。

sunk