存儲容量接近98%時，EU321的寫入性能依然沒有降低西部數(shù)據(jù)iNAND? MC EU321嵌入式閃存盤
新款西部數(shù)據(jù)iNAND MC EU321嵌入式閃存盤采用了西部數(shù)據(jù)公司的96層3D NAND技術(shù)、UFS 2.1接口技術(shù)及西部數(shù)據(jù)公司的iNAND SmartSLC 5.1架構(gòu)，能夠為智能手機、平板電腦和PC筆記本電腦設(shè)備提供強大的數(shù)據(jù)性能，較于前代產(chǎn)品，西部數(shù)據(jù)重點加強了閃存盤的隨機讀寫速度。當(dāng)設(shè)備接近寫滿最大容量時，通過SmartSLC，在數(shù)據(jù)傳輸過程中的閑置時間清理碎片數(shù)據(jù)，空出更多的存儲塊來高速處理數(shù)據(jù)流保持高性能，以此解除使用容量與性能之間的相互傾軋，使用戶獲得良好的體驗。
存儲容量接近98%時，EU321的寫入性能依然沒有降低
西部數(shù)據(jù)iNAND? MC EU321的三代產(chǎn)品性能對比
SmartSLC架構(gòu)數(shù)據(jù)處理流程
iNAND MC EU321是iNAND系列的新成員，該系列十多年來一直受到全球所有主要智能手機和平板制造商的信賴。iNAND MC EU321 EFD可提供高達550MB/s的連續(xù)寫入性能，從而實現(xiàn)卓越的用戶體驗。西部數(shù)據(jù)公司目前正在就容量高達256GB的存儲解決方案在OEM中開展測試。
如今西部數(shù)據(jù)的嵌入式閃存盤首要面向手機，未來西部數(shù)據(jù)仍將面向更多的市場如互聯(lián)家庭，自動駕駛，視頻監(jiān)控等擴展EU321的更多類型產(chǎn)品。
