中芯國(guó)際國(guó)內(nèi)外的晶圓廠分布

中芯國(guó)際的N+1工藝相當(dāng)于臺(tái)積電的第一代7nm工藝，偏向低功耗一些，N+2工藝重點(diǎn)在提升性能，相當(dāng)于臺(tái)積電的7nm+工藝。

更進(jìn)一步的消息稱，中芯國(guó)際的7nm級(jí)工藝進(jìn)度比預(yù)期的要快，今年底就要生產(chǎn)了，盡管初期肯定是試產(chǎn)，產(chǎn)能不會(huì)有多大。

中芯國(guó)際7nm工藝年底問世的消息不僅國(guó)人關(guān)注，歐美的科技媒體最近也報(bào)道了這件事，除了關(guān)注技術(shù)問題之外，他們也認(rèn)為這件事對(duì)中國(guó)的半導(dǎo)體行業(yè)意義重大。

總之，假如中芯國(guó)際的7nm工藝順利，那么中國(guó)公司在半導(dǎo)體核心技術(shù)上算是追上來了，盡管還不能領(lǐng)跑，但有了同級(jí)競(jìng)爭(zhēng)的資格了。

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