共慶45nm發(fā)布
在這15款產(chǎn)品中，3款為雙核心5200系列、12款四核心5400系列。前者主頻1.86-3.40GHz、二級緩存全部6MB、前端總線1600MHz，熱設(shè)計功耗65/80W，售價177-1172美元，將在30-45天內(nèi)發(fā)售；后者最高主頻2.00-3.20GHz、二級緩存全部12MB、前端總線1333/1600MHz，熱設(shè)計功耗80/120/150W，售價209-1279美元。
英特爾公司中國大區(qū)總經(jīng)理楊敘躊躇滿志
英特爾公司中國大區(qū)總經(jīng)理楊敘表示，45納米技術(shù)的誕生是大規(guī)模集成電路生產(chǎn)工藝的突破。去年Intel發(fā)布的酷睿II是兩億九千萬三極管，今天的45納米雙核是四億一千萬個三極管，四核是八億兩千萬個三極管，這么多的三極管有很多問題和瓶頸要解決。于是，Intel找到了一種新的金屬材料–High-K。這個產(chǎn)品的誕生也是Intel第一次使用了無鉛的材料，相信對于未來產(chǎn)業(yè)的推動會有非常大的推動。
英特爾高級副總裁兼數(shù)字企業(yè)事業(yè)部總經(jīng)理帕特•基辛格展示45nm晶圓
英特爾高級副總裁兼數(shù)字企業(yè)事業(yè)部總經(jīng)理帕特•基辛格表示，這是近40年來晶體管技術(shù)最大的一次進步。新處理器首次應(yīng)用了以鉿(Hafnium)為基礎(chǔ)的High-K金屬柵極技術(shù)，并在業(yè)界首次采用45nm工藝制造，從而提高性能、降低功耗。新處理器集成的晶體管數(shù)量相比65nm型號增加了將近一倍，比如四核心高達8.2億個，但憑借新技術(shù)，芯片的核心面積卻平均減小了25％，性能每功耗指標同時提升38％。
至強5400等產(chǎn)品能夠滿足非常廣泛的服務(wù)器市場的需求，它擁有用不同的芯片組，使用了DDR3的內(nèi)存，擁有1600MHz前端總線，適用于于高性能運算和高端服務(wù)器應(yīng)用。
發(fā)布會現(xiàn)場
"Penryn"是英特爾首次采用45納米工藝技術(shù)生產(chǎn)的新片。這種預示著自從60年代以來晶體管的基本屬性首次發(fā)生了變化。英特爾首次計劃在晶體管設(shè)計中使用金屬柵和柵周圍的氧化物層使用一種新的材料。
OEM廠商助陣
新的晶體管和某些設(shè)計的改變足以讓英特爾"Penryn"這一代芯片在性能上處于領(lǐng)先地位。英特爾表示，它的一些合作伙伴使用Xeon處理器在TPC-C和SPECint_rate2006等著名基準測試中的得分創(chuàng)造了世界紀錄。
