美光表示，隨著從1Xnm到1Ynm和1Znm的轉(zhuǎn)變，比特位密度的增速減慢。但是，美光從1Znm到1αnm工藝節(jié)點(diǎn)尺寸提升了40％的增長率。
富國銀行分析師Aaron Rakers指出，美光在1Znm DRAM生產(chǎn)中占據(jù)有利地位。引用DRAMeXchange數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)美光在2020年第三季度的1Znm產(chǎn)量占其DRAM比特位產(chǎn)量的15％，而三星和SK海力士產(chǎn)量占比則分別為6％和0。
在其他條件相同的情況下，1Znm DRAM的制造成本低于之前的1Ynm節(jié)點(diǎn)成本。
極紫光刻機(jī)的應(yīng)用加速工藝進(jìn)程
美光采用深紫外線（DUV）多圖案光刻技術(shù)在晶圓上設(shè)計(jì)DRAM單元芯片的細(xì)節(jié)。隨著工藝節(jié)點(diǎn)尺寸水平縮小到10nm以下，光束的波長成為一個(gè)限制。
荷蘭ASML公司是芯片行業(yè)主流光刻機(jī)供應(yīng)商，已經(jīng)研發(fā)了可發(fā)出較小波長光的EUV（極端紫外線）掃描儀。這項(xiàng)技術(shù)可在晶圓上蝕刻較窄的線條，因此可實(shí)現(xiàn)更小的工藝尺寸，即晶圓上的DRAM裸片數(shù)量更多，因此每個(gè)晶圓的容量會更高，每GB容量成本也會更低。但資本開支巨大，目前ASML公司每年僅生產(chǎn)30臺EUV光刻機(jī)，這些光刻機(jī)重達(dá)180噸，每臺成本1.2億美元。
三星在1Znm工藝節(jié)點(diǎn)中使用了EUV，SK海力士計(jì)劃使用EUV技術(shù)批量生產(chǎn)1αnm DRAM和1βnm DRAM。美光認(rèn)為EUV到2023年甚至更晚才具有成本競爭力，也就是1δnm工藝節(jié)點(diǎn)才是市場決勝的關(guān)鍵。
另外，美光的財(cái)務(wù)似乎也緩過來了，近期把截至12月3日的第一季度營收預(yù)期，從50-54億美元上調(diào)至57億-57.5億美元。
