英特爾在用各種方案將更有成本優(yōu)勢的高密度NAND存儲推向市場，除了144層的NAND技術(shù)，還有QLC甚至PLC這種單元技術(shù)，還有更高密度的外殼方案，比如EDSFF，常見的就是Ruler這種尺子外形的SSD盤，以盡可能少的空間占用提供更高存儲密度。
英特爾技術(shù)專家則從技術(shù)角度介紹了NAND技術(shù)上的核心優(yōu)勢。
在面密度方面，英特爾在浮柵加上CuA（陣列下的CMOS-CMOS under Array）的加持下，對比替換柵極技術(shù)（Replacement?Gate）中浪費掉資源，其面密度最多提高10%，容量更大，每個晶元能產(chǎn)出更多容量，制造效率會更高。
在可靠性方面，英特爾的垂直浮柵閃存單元設計非常特殊，上圖可見，單元與單元之間是分隔的，好處是單元與單元之間的干擾會少很多。此外，由于一個單元之內(nèi)存儲的電子數(shù)量比較多，這對于防止漏電，提升控制能力也是有作用的。
基于在面密度以及數(shù)據(jù)保持能力上的差異，浮動柵極和替換柵極兩種技術(shù)路線的差異則更加明顯，英特爾所選擇的浮動柵極能做到更高密度的裸片，也就是適合數(shù)據(jù)中心大容量、高密度存儲，反之，替換柵極更適合做低密度裸片，做小容量的低密度存儲。
在可靠性方面，浮動柵極相對于電荷捕獲閃存單元的數(shù)據(jù)保留率也更高，能更好的應對MLC到TLC到QLC甚至PLC帶來的數(shù)據(jù)可靠性問題。
雖然浮動柵極的技術(shù)優(yōu)勢非常明顯，但由于生產(chǎn)工藝相對復雜，所以，并不是所有廠商都選擇浮動柵極。
從市場來看，一些選擇其他方案的廠商其關(guān)注重點并不是數(shù)據(jù)中心市場，有些場景中根本不需要QLC或者PLC，大部分TLC就能滿足其需求，而英特爾選擇則是少數(shù)專注于數(shù)據(jù)中心市場的廠商所選擇的技術(shù)路徑。
新技術(shù)集大成者——采用第三代QLC的D5-P5316
D5-P5316有許多黑科技加成。首先，憑借NAND介質(zhì)技術(shù)的改進和固件層次上的優(yōu)化，D5-P5316的耐久性比其它QLC NAND高4倍，英特爾技術(shù)專家指出，從實際應用來看，像D5-P5316這類QLC盤的壽命在實際應用部署中并不是問題。
性能方面，D5-P5316有著與TLC NAND固態(tài)盤相當?shù)腜CIe 4.0讀取帶寬，能達到最高7GB/s，跑滿PCIe 4.0。
英特爾技術(shù)專家表示，許多用戶并不關(guān)心單盤讀寫帶寬或者是IOPS表現(xiàn)，而是更在乎時延和服務質(zhì)量，英特爾在此前許多SSD設計中就關(guān)注時延和服務質(zhì)量，在歷代產(chǎn)品中不斷迭代和完善，而現(xiàn)在，D5-P5316有著與TLC NAND固態(tài)盤幾乎一致的時延和服務質(zhì)量，與第一代QLC固態(tài)盤相比，時延縮減了48%。
D5-P5316的主要參數(shù)配置信息
憑借長期積累和英特爾的品牌實力，D5-P5316在質(zhì)量和可靠性方面以及成熟度方面的表現(xiàn)也不應該成為問題。英特爾技術(shù)專家介紹道，英特爾NAND SSD的迭代中每次只迭代介質(zhì)或者控制器，每次升級都只有一個變量，以確保可靠性和設計難度在可控范圍內(nèi)。
作為D5系列容量型SSD的一員，D5-P5316能滿足大規(guī)模溫存儲需求，單盤30.72TB的容量配置大大提高了存儲密度，無論是按照提供的容量還是性能來算，都有利于減少數(shù)據(jù)中心空間占用，最多可將存儲空間占用減少20倍。
按照塊大小和讀寫比例分配情況，英特爾QLC PCIe NAND固態(tài)盤適用的場景有以上幾種，包括AI、云存儲、超融合、大數(shù)據(jù)、CDN以及HPC等場景，適用范圍還是非常豐富的。
結(jié)語
廣大用戶應該注意到英特爾NAND SSD是最專注于數(shù)據(jù)中心市場的SSD產(chǎn)品線，這既總結(jié)了過去，也為其接下來的發(fā)展埋下了伏筆。
英特爾NAND SSD業(yè)務被出售或許是最好的安排，英特爾可以更專注于有差異化價值的傲騰，SK海力士因為獲得這一產(chǎn)品線在數(shù)據(jù)中心市場獲得更多市場份額。
