英特爾還計劃從2025年開始采用ASML的High-NA Twinscan EXE光刻機進(jìn)行批量制造 (HVM)，屆時該公司可能開始使用其18A (~1.8 nm) 制造技術(shù)。

由于英特爾在第一代極紫外光刻 (EUV) 技術(shù)方面明顯落后于競爭對手臺積電和三星，因此希望率先采用具有高NA的下一代EUV工具來提供更高的分辨率和生產(chǎn)力。

ASML總裁兼首席技術(shù)官，Martin van den Brink指出與當(dāng)前EUV系統(tǒng)相比，我們對EUV技術(shù)路線規(guī)劃是在降低復(fù)雜性、成本、周期時間和能源的情況下提供持續(xù)的光刻技術(shù)改進(jìn)，芯片行業(yè)需要在未來十年推進(jìn)價格向經(jīng)濟實惠發(fā)展。

EUV 0.55 NA的設(shè)計旨在從2025年開始實現(xiàn)多個未來節(jié)點，這是業(yè)內(nèi)首次部署，隨后將采用類似密度的內(nèi)存技術(shù)。在 2021年7月的投資者日上，ASML分享了其EUV 路線圖，并指出High-NA技術(shù)有望在2025年開始支持生產(chǎn)制造。

作為對此前發(fā)生的火災(zāi)回應(yīng)，ASML CEO，Peter Wennink在一份聲明中表示，“我們柏林工廠的部分建筑物發(fā)生火災(zāi)的預(yù)期影響已包含在2022年的增長預(yù)測中”，“根據(jù)我們目前的了解，相信可以處理好這場火災(zāi)的后果，并不會對2022年的系統(tǒng)輸出產(chǎn)生重大影響。”

崔歡歡