以下是Mozaic 3+（魔彩盒3+）平臺的亮點：

1. 超晶格鉑合金介質(zhì)。高密度記錄的物理學原理要求在納米級基礎(chǔ)上實現(xiàn)更小介質(zhì)的顆粒尺寸，但顆粒越小，穩(wěn)定性越差，這是挑戰(zhàn)所在。傳統(tǒng)合金無法提供足夠的磁性穩(wěn)定性以實現(xiàn)有效可靠的存儲。在Mozaic 3+（魔彩盒3+）平臺中，開創(chuàng)性地使用了鐵-鉑超晶格結(jié)構(gòu)作為介質(zhì)合金，顯著提高了磁盤介質(zhì)的磁矯頑力，數(shù)據(jù)寫入更加精確，并實現(xiàn)了前所未有的位穩(wěn)定性。

2. 等離子寫入器。為了配合更加穩(wěn)定和牢固的超晶格鉑合金介質(zhì)，產(chǎn)品設(shè)計了一個革命性的寫入器，這是一個微型化和精密工程的奇跡，也是希捷獨有的HAMR技術(shù)的呈現(xiàn)。這項技術(shù)的背后是納米光子激光器，它在介質(zhì)表面產(chǎn)生一個微小的熱點，以便可靠地寫入數(shù)據(jù)。

希捷計劃將納米光子激光器垂直集成到等離子體寫入器子系統(tǒng)中。Dave Mosley博士表示：“我們?yōu)镸ozaic 3+（魔彩盒3+）自主開發(fā)了獨特的激光技術(shù)，將確保更高的效率和產(chǎn)量，以支持快速規(guī)?；呐可a(chǎn)。”

3. 第7代自旋電子讀取器。更小的寫入數(shù)據(jù)顆粒只有在能夠被讀取時才能發(fā)揮作用。該讀取器與等離子寫入器的子組件一起集成，也需要不斷進化。Mozaic 3+（魔彩盒3+）采用了量子技術(shù)，該讀取器是世界上最小、最靈敏的磁場讀取傳感器之一。

4. 12nm集成控制器。為了高效地協(xié)調(diào)所有這些技術(shù)，希捷使用的集成控制器是一款完全由公司內(nèi)部開發(fā)的片上系統(tǒng)。相較于之前的解決方案，這種專用集成電路實現(xiàn)了高達3倍的性能提升。

IDC全球數(shù)據(jù)研究中心研究副總裁John Rydning表示：“硬盤面密度的提升對于經(jīng)濟高效地擴展海量存儲容量，尤其是數(shù)據(jù)中心的部署至關(guān)重要。希捷創(chuàng)新性的面密度突破恰逢其時，也使希捷能夠在未來幾年內(nèi)提供容量越來越大的硬盤產(chǎn)品?！?/p>

除了數(shù)據(jù)中心，Mozaic 3+（魔彩盒3+）存儲技術(shù)還將支持更加廣泛的應(yīng)用，包括企業(yè)級、邊緣、NAS以及視頻和圖像應(yīng)用（VIA）市場。

zhupb