與上一代OptiMOS 3相比，OptiMOS 6 200 V產品組合具有更加強大的技術特性，其RDS(on)降低了42%，有助于減少傳導損耗和提高輸出功率。在二極管性能方面，OptiMOS 6 200 V的軟度大幅提升至OptiMOS 3的三倍多，且 Qrr(typ)降低了 89%，使開關和 EMI 性能均得到明顯改善。該技術還提升了寄生電容線性度（Coss 和 Crss），減少了開關期間的振蕩并降低了電壓過沖。更緊密的 VGS(th) 分布和低跨導特性有助于MOSFET并聯(lián)和電流共享，使溫度變得更加均勻且減少了并聯(lián)MOSFET的數(shù)量。

OptiMOS 6 200 V產品具有更出色的SOA并達到J-STD-020標準中的MSL 1等級。該半導體產品組合符合RoHS規(guī)范且不含鉛，滿足當前行業(yè)標準的要求。

供貨情況

OptiMOS 6 200 V產品提供多種封裝，包括PQFN 3.3.×3.3、SuperSO8 5×6、TOLL、TO-220、D2PAK-7P和D2PAK-3P，適用于各種應用。所有型號目前均可訂購。

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