在“四年五個(gè)制程節(jié)點(diǎn)”計(jì)劃之后,英特爾將繼續(xù)采用創(chuàng)新技術(shù)推進(jìn)未來制程節(jié)點(diǎn)的開發(fā)和制造,以鞏固制程領(lǐng)先性。High NA EUV技術(shù)是EUV技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展,數(shù)值孔徑(NA)是衡量收集和集中光線能力的指標(biāo)。通過升級(jí)將掩膜上的電路圖形反射到硅晶圓上的光學(xué)系統(tǒng),High NA EUV光刻技術(shù)能夠大幅提高分辨率,從而有助于晶體管的進(jìn)一步微縮。

作為Intel 18A之后的下一個(gè)先進(jìn)制程節(jié)點(diǎn),Intel 14A將采用High NA EUV光刻技術(shù)。此外,英特爾還公布了Intel 3、Intel 18A和Intel 14A的數(shù)個(gè)演化版本,以幫助客戶開發(fā)和交付符合其特定需求的產(chǎn)品。

為了制造出特征尺寸更小的晶體管,在集成High NA EUV光刻技術(shù)的同時(shí),英特爾也在同步開發(fā)新的晶體管結(jié)構(gòu),并改進(jìn)工藝步驟,如通過PowerVia背面供電技術(shù)減少步驟、簡(jiǎn)化流程。

將研究成果轉(zhuǎn)化為可量產(chǎn)、可應(yīng)用的先進(jìn)產(chǎn)品,是英特爾50多年來的卓越所在。英特爾將繼續(xù)致力于通過創(chuàng)新技術(shù)推進(jìn)摩爾定律,以推動(dòng)AI和其它新興技術(shù)的發(fā)展。

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songjy

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