2023年11月，SK海力士在其12層堆疊（12-Hi）的HBM3e存儲芯片基礎上增加了4層，使容量從36GB提升至48GB，并計劃在今年提供該16層堆疊（16-Hi）產品的樣品。
更高速的HBM4標準預計也將在2024年推出，其堆疊帶寬約為1.5TBps，相比之下，HBM3e的帶寬僅超過1.2TBps。
三星公布的截至2023年12月31日的季度初步財務數(shù)據(jù)顯示，營收約514億美元，同比增長10.7%，但低于分析師預期。此外，營業(yè)利潤約45億美元，低于市場預期的61億美元，且較上一季度下降30%。
三星方面表示，存儲業(yè)務在第四季度的營收創(chuàng)下新高，主要得益于高密度存儲產品的強勁銷售。然而，由于研發(fā)投入的增加以及先進技術擴產帶來的初始成本，存儲業(yè)務的營業(yè)利潤出現(xiàn)下降。
三星晶圓代工業(yè)務的挑戰(zhàn)，包括：失去關鍵客戶在先進工藝上的訂單、部分產品逐漸進入生命周期尾端、成熟制程市場復蘇緩慢。
生產HBM芯片比傳統(tǒng)DRAM更具盈利能力。一旦英偉達認證某家廠商的HBM產品，該產品的銷量便會迅速增長。然而，三星在讓其最新的HBM芯片獲得英偉達認證方面，落后于SK海力士和美光。
由于存儲芯片銷售放緩，三星在2023年11月更換了其半導體部門的領導層，這是當年第二次高層調整。
在此之前的一個月，三星已經承認公司正處于危機之中，市場對其技術競爭力表示擔憂。
中國本土DRAM供應商的崛起。手機存儲芯片的需求相對疲軟，而中國本土的DRAM供應商正在占據(jù)越來越大的市場份額。
英偉達CEO對三星的樂觀態(tài)度。據(jù)路透社報道，在CES（國際消費電子展）上，英偉達CEO黃仁勛向記者表示，三星正在研發(fā)一款新的HBM芯片設計，并且他對三星在該項目的成功充滿信心。
