同時，在成熟制程方面，英特爾代工流片的首批基于16納米制程的產(chǎn)品已經(jīng)進入晶圓廠生產(chǎn)，也正在與主要客戶洽談與UMC合作開發(fā)的12納米節(jié)點及其演進版本。

在先進封裝領域，英特爾推出了包括Foveros Direct（3D堆疊）和EMIB（2.5D橋接）在內(nèi)的多種技術(shù)解決方案。英特爾還將向客戶提供新的先進封裝技術(shù)，包括面向未來高帶寬內(nèi)存需求的EMIB-T；在Foveros 3D先進封裝技術(shù)方面，F(xiàn)overos-R和Foveros-B也將為客戶提供更多高效靈活的選擇。

目前，英特爾亞利桑那州的Fab 52工廠已成功完成Intel 18A的流片（run the lot），標志著該廠首批晶圓（wafer）順利試產(chǎn)成功，展現(xiàn)了英特爾在先進制程制造方面的進展。隨著俄勒岡州晶圓廠即將率先實現(xiàn)Intel 18A的大規(guī)模量產(chǎn)，英特爾正穩(wěn)步推進其制程技術(shù)的商業(yè)化進程。

英特爾憑借其以工程至上為核心的文化，領先的制程技術(shù)和先進封裝能力，正在不斷突破技術(shù)邊界，為客戶提供高性能、低功耗的解決方案。這些技術(shù)創(chuàng)新不僅強化了英特爾在半導體行業(yè)的競爭力，也為全球科技產(chǎn)業(yè)的發(fā)展注入了新的動力。未來，英特爾將繼續(xù)引領技術(shù)潮流，為客戶和合作伙伴創(chuàng)造更多價值。

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