一位惠普高級官員在塞維利亞舉辦的2011國際電子論壇（InternatiONal Electronics Forum）上表示，惠普將在未來18個月內推出一種全新的非易失性內存芯片以取代NAND閃存和SSD產品。
該官員名叫Stan Williams，在對媒體采訪時說“我們計劃在未來1年半的時間內，推出一種可取代目前市場上閃存芯片的產品（Memristor）。我們還計劃將其打造成為可取代SSD的存儲解決方案。”
閃存已經基本定型，“現(xiàn)在我們在DRAM動態(tài)隨機存儲器上不斷拓展，而且我們有信心在每比特能量轉換方面獲得2個數(shù)量級的改善。”“在實驗室我們已經對晶圓實現(xiàn)了數(shù)百次的運行測試，”他補充說道。
惠普曾于去年與韓國芯片制造商Hynix建立了合作關系，共同生產下一代非易失性內存產品。
Memristor或稱憶阻器技術，它與電阻器、電容和電感器一樣也是一個基本的電路元件。在設備開啟和關閉之間，憶阻器的電子狀態(tài)保持不變——就像閃存記憶體一樣。這一點它可以和相變記憶體（PCM）競爭。一旦NAND閃存的制程縮小空間耗盡，NAND將無法可靠工作，面臨發(fā)展瓶頸問題。為此，這時候需要有新的技術加入進來。
憶阻器可以記憶流經它的電荷數(shù)量，在某種程度上說，憶阻器在任一時刻的電阻是時間的函數(shù)，被稱為是電阻電容和電感之外的第四個基本元件。
