一位惠普高級(jí)官員在塞維利亞舉辦的2011國(guó)際電子論壇（InternatiONal Electronics Forum）上表示，惠普將在未來(lái)18個(gè)月內(nèi)推出一種全新的非易失性內(nèi)存芯片以取代NAND閃存和SSD產(chǎn)品。

該官員名叫Stan Williams，在對(duì)媒體采訪時(shí)說(shuō)“我們計(jì)劃在未來(lái)1年半的時(shí)間內(nèi)，推出一種可取代目前市場(chǎng)上閃存芯片的產(chǎn)品（Memristor）。我們還計(jì)劃將其打造成為可取代SSD的存儲(chǔ)解決方案。”

閃存已經(jīng)基本定型，“現(xiàn)在我們?cè)?/span>DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器上不斷拓展，而且我們有信心在每比特能量轉(zhuǎn)換方面獲得2個(gè)數(shù)量級(jí)的改善。”“在實(shí)驗(yàn)室我們已經(jīng)對(duì)晶圓實(shí)現(xiàn)了數(shù)百次的運(yùn)行測(cè)試，”他補(bǔ)充說(shuō)道。

惠普曾于去年與韓國(guó)芯片制造商Hynix建立了合作關(guān)系，共同生產(chǎn)下一代非易失性內(nèi)存產(chǎn)品。

Memristor或稱憶阻器技術(shù)，它與電阻器、電容和電感器一樣也是一個(gè)基本的電路元件。在設(shè)備開(kāi)啟和關(guān)閉之間，憶阻器的電子狀態(tài)保持不變——就像閃存記憶體一樣。這一點(diǎn)它可以和相變記憶體（PCM）競(jìng)爭(zhēng)。一旦NAND閃存的制程縮小空間耗盡，NAND將無(wú)法可靠工作，面臨發(fā)展瓶頸問(wèn)題。為此，這時(shí)候需要有新的技術(shù)加入進(jìn)來(lái)。

憶阻器可以記憶流經(jīng)它的電荷數(shù)量，在某種程度上說(shuō)，憶阻器在任一時(shí)刻的電阻是時(shí)間的函數(shù)，被稱為是電阻電容和電感之外的第四個(gè)基本元件。

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