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標(biāo)簽:3D-NAND 第5頁

武漢新芯陳少民:3D NAND是中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)彎道超車的機(jī)遇-DOIT-數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)媒體與服務(wù)平臺(tái)

武漢新芯陳少民:3D NAND是中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)彎道超車的機(jī)遇

6月30日,中國閃存峰會(huì)在北京舉行 。 武漢新芯執(zhí)行副總裁、商務(wù)長陳少民先生在參與“大存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)和中國力量”對(duì)話中表示,武漢新芯選擇3D NAND,是中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)彎道超車的機(jī)遇。 武漢新芯執(zhí)行副總裁、商務(wù)長陳少民先生。 陳少民先生指出,大存...

如何制作3D NAND(下)-DOIT-數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)媒體與服務(wù)平臺(tái)

如何制作3D NAND(下)

新光刻技術(shù):交替堆疊沉積 總之,3D NAND和現(xiàn)有平面NAND表現(xiàn)出了極大背離。在2D NAND中,它的制程是依賴于高級(jí)光刻技術(shù)。雖然3D NAND制程中采用了后緣40納米到20納米的設(shè)計(jì)規(guī)格。光刻技術(shù)仍在使用,但它不再是最關(guān)鍵的環(huán)節(jié)。因...

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如何制作3D NAND?(上)-DOIT-數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)媒體與服務(wù)平臺(tái)

如何制作3D NAND?(上)

2013年,三星發(fā)售全球首款3D NAND設(shè)備,在IC(集成電路)業(yè)界達(dá)到了一個(gè)里程碑?,F(xiàn)在,經(jīng)過一些延遲與不確定性后,英特爾,美光,海力士,閃迪/東芝二人組對(duì)3D NAND最終加大產(chǎn)能或進(jìn)行取樣。 相對(duì)現(xiàn)有平面或2D NAND,3D NA...

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