站在2023年，快速回顧閃存發(fā)展歷程
閃存的發(fā)展史可以追溯到1967年，當(dāng)貝爾實驗室的Dawon Kahng和Simon Sze共同發(fā)明了浮柵MOSFET，這是所有閃存，EEPROM和EPROM的基礎(chǔ)?。 1967年，貝爾實驗室江大原（Dawon Kahng，韓裔）和施敏博士（...
朱 朋博業(yè)界動態(tài) 共 2 篇文章
標(biāo)簽：EEPROM
朱 朋博業(yè)界動態(tài) 
4Gbit閃存EEPROM 瑞薩、三星競逐最小
日立制作所和日本瑞薩科技面向閃存EEPROM，日前共同開發(fā)出了面積業(yè)界最小的內(nèi)存單元。并在2003年12月8日于美國召開的“IEDM 2003”國際半導(dǎo)體制造技術(shù)會議上公布了技術(shù)詳情。使用90...
多易智能算力