美光開售自主存儲系統(tǒng)，SolidScale成亮點(diǎn)
美光科技（Micron）以往主要為企業(yè)客戶的存儲陣列提供閃存產(chǎn)品，而美光現(xiàn)在也要大力銷售自家的存儲系統(tǒng)了。 這家半導(dǎo)體巨頭發(fā)布了一款名為SolidScale的新型頂級機(jī)架平臺，主要面向現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心，應(yīng)用程序需要具備在短期內(nèi)快速提取大量信息的...
張 妮娜先進(jìn)存力 共 8 篇文章
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張 妮娜先進(jìn)存力 
NAND固態(tài)硬盤發(fā)布 比硬盤驅(qū)動器更高效更節(jié)能
DoSTOR存儲在線–Micron （美光）科技本周發(fā)布了其最新的固態(tài)硬盤（SSD）驅(qū)動器，這一新產(chǎn)品將主要針對企業(yè)服務(wù)器以及筆記本電腦計(jì)算方面的應(yīng)用。 在產(chǎn)品線上，企業(yè)級的Realssd P200和應(yīng)用級的Realssd C2...
susan智能算力 Infineon和美光科技聯(lián)手抨擊Hynix
據(jù)華爾街日報(bào)消息 歐洲和美國最大的兩家存儲晶片制造商發(fā)起了對一家韓國競爭者的口舌之戰(zhàn)，對他們所謂的大規(guī)模的政府救助計(jì)劃展開廣泛的抨擊。 在接受一次...
多易智能算力 英飛凌和美光制定超高速DDR SDRAM內(nèi)存新規(guī)格
德國英飛凌科技和美國美光科技日前完成了內(nèi)存新規(guī)格“Reduced Latency DRAM II（RLDRAM II）”。這是兩公司在當(dāng)?shù)貢r(shí)間5月12日分別于德國和美國宣布的。 ...
多易智能算力 美光：正式發(fā)布512Mbit DDR400內(nèi)存 新系統(tǒng)新標(biāo)準(zhǔn)
內(nèi)存芯片廠商美國Micron公司今日正式發(fā)布512Mbit DDR400內(nèi)存。美光表示本周將在San Jose JEDEX大會上展示這種PC3200平臺。 &...
多易智能算力 美光：推出業(yè)界第一款4GB DDRAM，已向英特爾供貨
GzEasy報(bào)道，美光Micron發(fā)布業(yè)界第一款容量高達(dá)4GB的DDR SDRAM，并且已經(jīng)開始量產(chǎn)供應(yīng)給Intel。該高容量內(nèi)存是基于1Gbit的內(nèi)存芯片上開發(fā)的，使用0.11mm工藝，標(biāo)準(zhǔn)...
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Micron：使用0.11微米工藝讓DDR進(jìn)入1Gbit時(shí)代
作為最大的內(nèi)存廠商之一的Micron向世人展示了他們使用0.11微米工藝生產(chǎn)的容量高達(dá)1Gbit 的DDR 內(nèi)存，這種容量的內(nèi)存顆粒將用在單條容量為4GB的服務(wù)器內(nèi)存上，那樣的話，意味著只要3...
多易智能算力 美光：發(fā)布0.11微米制程的DDR SDRAM內(nèi)存顆粒
據(jù)驅(qū)動之家報(bào)道，內(nèi)存芯片廠商Micron美光今天宣布，已經(jīng)拿出業(yè)界首款0.11微米制程DDR SDRAM內(nèi)存顆粒，容量1Gb。Micron美光0.11微米制程DD內(nèi)存顆粒工作電壓2.5V，采用...
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