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標簽:DRAM

NEO半導(dǎo)體推出3D X-DRAM,開啟DRAM三維化時代新篇章-DOIT-數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)媒體與服務(wù)平臺

NEO半導(dǎo)體推出3D X-DRAM,開啟DRAM三維化時代新篇章

近日,NEO半導(dǎo)體拓展了3D X-DRAM概念,推出了新變體技術(shù)。這項技術(shù)以3D堆疊結(jié)構(gòu)為核心理念,借鑒3D NAND閃存的經(jīng)驗,結(jié)合創(chuàng)新型單元結(jié)構(gòu)和新材料的應(yīng)用,旨在突破傳統(tǒng)DRAM在密度、功耗與性能方面的技術(shù)瓶頸,對高性能計算(HPC)...

崔 歡歡崔 歡歡先進存力
三星業(yè)績增長乏力,聚焦中國市場尋求突破-DOIT-數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)媒體與服務(wù)平臺

三星業(yè)績增長乏力,聚焦中國市場尋求突破

4月8日,三星發(fā)布Q1財報,三星電子當季初步營業(yè)利潤約達6.6萬億韓元(折合45億美元),同比下降0.15%。這一業(yè)績表現(xiàn)凸顯該科技巨頭在新興人工智能市場布局中的滯后態(tài)勢。值得注意的是,即便存儲芯片市場價格呈現(xiàn)回暖趨勢,這家曾經(jīng)的半導(dǎo)體行業(yè)...

張 妮娜張 妮娜業(yè)界動態(tài)
每天蒸發(fā)3億美元,韓國半導(dǎo)體危險了?-DOIT-數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)媒體與服務(wù)平臺

每天蒸發(fā)3億美元,韓國半導(dǎo)體危險了?

據(jù)路透社報道,2025年3月19日,三星電子在水原會展中心召開了第56屆股東大會。會議期間,股東對三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)提出諸多質(zhì)疑。對此,半導(dǎo)體暨裝置解決方案(DS)部門負責人、副會長全永鉉表示,在人工智能競爭的時代,HBM是一個極具代表性的組件...

張 妮娜張 妮娜業(yè)界動態(tài)
以工藝窗口建模探索路徑:使用虛擬制造評估先進DRAM電容器圖形化的工藝窗口-DOIT-數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)媒體與服務(wù)平臺

以工藝窗口建模探索路徑:使用虛擬制造評估先進DRAM電容器圖形化的工藝窗口

—— 使用虛擬制造為先進DRAM結(jié)構(gòu)中的電容器形成工藝進行工藝窗口評估和優(yōu)化 持續(xù)的器件微縮導(dǎo)致特征尺寸變小,工藝步驟差異變大,工藝窗口也變得越來越窄[1]。半導(dǎo)體研發(fā)階段的關(guān)鍵任務(wù)之一就是尋找工藝窗口較大的優(yōu)秀集成方案。如果晶圓測試數(shù)據(jù)不...

謝 世誠謝 世誠業(yè)界動態(tài)