近日，NEO半導(dǎo)體拓展了3D X-DRAM概念，推出了新變體技術(shù)。這項(xiàng)技術(shù)以3D堆疊結(jié)構(gòu)為核心理念，借鑒3D NAND閃存的經(jīng)驗(yàn)，結(jié)合創(chuàng)新型單元結(jié)構(gòu)和新材料的應(yīng)用，旨在突破傳統(tǒng)DRAM在密度、功耗與性能方面的技術(shù)瓶頸，對(duì)高性能計(jì)算（HPC）...
崔 歡歡先進(jìn)存力 
4月8日，三星發(fā)布Q1財(cái)報(bào)，三星電子當(dāng)季初步營業(yè)利潤約達(dá)6.6萬億韓元（折合45億美元），同比下降0.15%。這一業(yè)績(jī)表現(xiàn)凸顯該科技巨頭在新興人工智能市場(chǎng)布局中的滯后態(tài)勢(shì)。值得注意的是，即便存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)價(jià)格呈現(xiàn)回暖趨勢(shì)，這家曾經(jīng)的半導(dǎo)體行業(yè)...
據(jù)路透社報(bào)道,2025年3月19日,三星電子在水原會(huì)展中心召開了第56屆股東大會(huì)。會(huì)議期間,股東對(duì)三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)提出諸多質(zhì)疑。對(duì)此,半導(dǎo)體暨裝置解決方案(DS)部門負(fù)責(zé)人、副會(huì)長全永鉉表示,在人工智能競(jìng)爭(zhēng)的時(shí)代,HBM是一個(gè)極具代表性的組件...
行業(yè)相關(guān)人士@Jukanlosreve于3 月 14 日在 X 平臺(tái)發(fā)布推文，曝料稱三星半導(dǎo)體代工業(yè)務(wù)陷入危機(jī)，由于 3nm（SF3）節(jié)點(diǎn)良率問題持續(xù)未解，疊加 5nm、7nm 產(chǎn)線利用率不足被迫關(guān)停等影響，可能取消原計(jì)劃于 2027 年底...
—— 使用虛擬制造為先進(jìn)DRAM結(jié)構(gòu)中的電容器形成工藝進(jìn)行工藝窗口評(píng)估和優(yōu)化 持續(xù)的器件微縮導(dǎo)致特征尺寸變小，工藝步驟差異變大，工藝窗口也變得越來越窄[1]。半導(dǎo)體研發(fā)階段的關(guān)鍵任務(wù)之一就是尋找工藝窗口較大的優(yōu)秀集成方案。如果晶圓測(cè)試數(shù)據(jù)不...
全球半導(dǎo)體存儲(chǔ)解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商華邦電子將于7月11日?– 7月13日首次亮相慕尼黑上海電子展7.2館B206。屆時(shí)，TrustME、Flash、DRAM三大明星產(chǎn)品線以及華邦電子合作伙伴生態(tài)產(chǎn)品將悉數(shù)亮相，更有行業(yè)專家與到場(chǎng)觀眾...
6月中下旬美光開始出貨使用1α節(jié)點(diǎn)制造的LPDDR4X芯片。
崔 歡歡先進(jìn)存力 
預(yù)計(jì)2022年，內(nèi)存IC（集成電路）銷售額將達(dá)到1804億美元
崔 歡歡先進(jìn)存力 
三星首款DRAM-less固態(tài)硬盤,消費(fèi)者以更高性價(jià)比體驗(yàn)NVMe速度 韓國首爾— 2021年3月10日電—擁有先進(jìn)存儲(chǔ)技術(shù)的三星電子于今日宣布推出NVMe 980固態(tài)硬盤[1],這是三星電子首款DRAM-less消費(fèi)級(jí)固態(tài)硬盤。980固態(tài)...
2016年，在谷歌旗下的DeepSmind還沒通過AlphaGo一戰(zhàn)成名之前，Deepmind在AI（人工智能）方面最為人知的成就，是運(yùn)用AI大大降低了谷歌一個(gè)數(shù)據(jù)中心服務(wù)器的溫控系統(tǒng)的電量消耗。40%的能耗節(jié)省，當(dāng)時(shí)令人眼前一亮，讓業(yè)界看...
張 妮娜
謝 世誠
張 妮娜