三星電子今天宣布，已經(jīng)完成了歷史上第一款DDR4 DRAM規(guī)格內(nèi)存條的開發(fā)，并采用30nm級工藝制造了首批樣品。 時至今日，DDR4內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范仍未最終定奪。三星這條樣品屬于UDIMM類型，容量為2GB，運(yùn)行電壓只有1.2V，工作頻率為2...

liukai2011-01-05智能算力

KINGMAX勝創(chuàng)日前發(fā)布了頻率達(dá)到2400MHz的超頻內(nèi)存套裝新品。和其他廠商的頂級超頻內(nèi)存爭相采用夸張的散熱片設(shè)計截然相反，勝創(chuàng)這款高頻內(nèi)存外圈沒有使用散熱片，PCB和內(nèi)存顆粒都暴露在外。 實際上，這是又一款采用KINGMAX納米散熱技...

liukai2010-12-24智能算力

由于上游內(nèi)存顆粒廠商制造工藝的升級，DDR3內(nèi)存市場近期明顯正在經(jīng)歷一波更新，4GB單條、低壓高頻低時序等產(chǎn)品頻出，價格也出現(xiàn)跳水。如今，這一趨勢已經(jīng)從桌面內(nèi)存刮向筆記本領(lǐng)域，威剛就發(fā)布了面向游戲筆記本的大容量高頻筆記本內(nèi)存。 該內(nèi)存條型號...

liukai2010-12-24智能算力

據(jù)IDG News Service報道，IBM的研究人員證實，Racetrack內(nèi)存理論是正確的，可以用于指導(dǎo)這類內(nèi)存芯片的生產(chǎn)。 被稱為“racetrack memory”的這個技術(shù)是IBM的Stuart Park...

hanrui2010-12-24數(shù)字化轉(zhuǎn)型

日本存儲大廠爾必達(dá)今天宣布，全球第一款采用30nm先進(jìn)工藝的4GB DDR3 SO-DIMM筆記本內(nèi)存條已經(jīng)開始試驗性出貨。 這種內(nèi)存條使用了16顆DDR3 SDRAM內(nèi)存顆粒，雙面雙列安置，總?cè)萘?GB，采用標(biāo)準(zhǔn)的240針SO-DIMM封...

liukai2010-12-22智能算力

臺灣“國研院”納米(臺稱“奈米”)組件實驗室日前開發(fā)出全球最小的9納米功能性電阻式內(nèi)存(R-RAM)數(shù)組晶胞；這個新內(nèi)存在幾乎不需耗電的情況下，1平方厘米面積內(nèi)可儲存1個圖書館的文字?jǐn)?shù)據(jù)，將讓...

liukai2010-12-20智能算力

海盜船的Dominator-GT系列玩家級超頻內(nèi)存今天再添新品。新套裝可在1.5V低壓下實現(xiàn)2133MHz的高頻率。 這款新套裝編號為CMT4GX3M2B2133C9，規(guī)格為2x 2GB，額定電壓1.5V，額定頻率2133MHz，時序9-1...

liukai2010-12-16智能算力

根據(jù)全球內(nèi)存顆粒市場分析機(jī)構(gòu)DRAMeXchange公布的報告，12月上半月DDR3內(nèi)存顆粒價格仍然呈斜跌勢。繼11月下半月降價13.35%后，1Gb DDR3顆粒合約價在12月前兩周又下滑了10.66%。 目前，2GB容量DDR3內(nèi)存條的...

liukai2010-12-14智能算力

三星電子今天宣布推出全新8GB DDR3 RDIMM服務(wù)器用內(nèi)存條，采用最先進(jìn)的Green DDR3 DRAM顆粒，使用3D芯片堆疊技術(shù)“硅通孔”(TSV)打造而來，而且已經(jīng)成功通過了主要客戶的測試。 三星表示，借助...

liukai2010-12-07智能算力

對新裝機(jī)的朋友來說，近期DDR3內(nèi)存價格的不斷下調(diào)無疑是一個喜訊，但好消息還在后面，據(jù)分析師和市場研究員們說內(nèi)存降價態(tài)勢將會一直保持到明年中，可能到了2011下半年才會逐漸收復(fù)失地。 作為對整機(jī)速度影響最大的部件之一，在過去的一年中內(nèi)存一直...

liukai2010-11-29智能算力