2013年對于閃存技術來說是奇妙的一年，它在2013年獲得了巨大的開發(fā)成果。

這是閃存技術積極發(fā)展的一年，閃存單元尺寸大幅減小，純閃存陣列的數量越來越多，很多閃存廠商被收購，還有很多閃存廠商經過IPO或倒閉破產后又被打回原形，閃存/磁盤混合陣列供應商賺得盆滿缽滿。

想跟上這個潮流趨勢并融入整個市場大格局就象是想越過尼加拉瓜大瀑布喝水一樣。

從大批的產品和技術消息中還可以看出一些東西。這說明市場已經開始普遍接受這樣一種觀點，即訪問I/O增強型隨機數據最好還是利用閃存而非傳統(tǒng)硬盤來完成，而且純閃存陣列肯定是連網存儲高頻隨機數據的最佳載體。 對于傳輸數據來說，傳統(tǒng)硬盤與閃存一樣好用，而且在單位容量價格上要便宜得多。傳統(tǒng)硬盤陣列最適合用來儲存近線、訪問頻率低的數據和大型文件。
 

蘋果的MacBook Air已經配備了閃存

市場一致認為，速度超快、外形輕薄的筆記本電腦需要閃存來實現(xiàn)最佳性能，平板電腦也是如此。但是也可以使用2.5英寸的混合硬盤，廠商們已經開始建議用戶們配備混合硬盤，用閃存儲存訪問頻率高的數據，而用價格相對低廉、大容量的傳統(tǒng)硬盤儲存訪問頻率低的數據。

我們將在隨后的文章中討論商業(yè)方面的事務，但是現(xiàn)在只談閃存技術研發(fā)方面的事情。

沒有太多的三層單元（TLC）

我們在2013年并沒有看見三層單元（TLC）NAND被廣泛應用到企業(yè)應用之中，TLC閃存的速度比較慢，寫耐久程度相當短。閃存生產廠比較喜歡生產單級單元和多級單元（SLC和MLC）產品，因為這些產品的需求更大，投資回報率相對更高。 TLC閃存仍然主要被應用于U盤、照相機閃存存儲卡等應用。

現(xiàn)在閃存市場還有一個變化趨勢，即由2X（29納米至20納米）技術工藝向1X（19納米至10納米）技術工藝升級。 例如，東芝現(xiàn)在就在建設19納米生產線。NAND產品的外形尺寸越小，每塊硅片上能夠安裝的NAND閃存芯片就越多，從而降低單位存儲容量的成本。 然而這個趨勢還沒有在整個行業(yè)內發(fā)生，美光科技正在向20納米邁進，預計今年會開始使用16納米工藝試生產。

逐步提高到3D NAND

業(yè)內人士之前預計會發(fā)生但是到現(xiàn)在為止都還沒有發(fā)生的一種情況是：非易失性技術將取代閃存技術。業(yè)內人士普遍認為，閃存技術也許無法在15納米或更先進的工藝條件下開發(fā)出能夠滿足寫耐久性要求的企業(yè)級閃存存儲產品。 相變存儲（PCM）和各種阻抗RAM比如惠普的Memristor都仍是未來的技術，3D NAND技術通過在一塊閃存芯片上安裝更多的閃存層級而提高了閃存的容量。

3D NAND原理圖

美光科技預計3D NAND生產樣品會在2014年中期之前出貨，最早可能會在4月份。但是量產至少要等到2015年才有可能實現(xiàn)。三星已經發(fā)布了其3D-VNAND技術，但是今年可能無法投入實際生產，而且現(xiàn)在三星還沒有開始接受有關訂單。

Objective Analysis的分析師Jim Handy在其Memory Guy網站上發(fā)布了一系列3D NAND技術圖紙，分析了那項技術以及各家廠商的計劃。

固態(tài)硬盤迎頭趕上

固態(tài)硬盤在過去一年保持著穩(wěn)步地增長，固態(tài)硬盤技術越來越成熟，NAND密度的增長使得這項技術能夠適用于越來越多的產品和價格區(qū)間，配備12Gbit/s SAS接口的產品也開始在市場上亮相了。

這里還有一些亮點：

• STec在1月份推出了一款2TB的SAS固態(tài)硬盤s840，

• 美光科技推出了很多固態(tài)硬盤產品，比如它升級了P400M SATA固態(tài)硬盤，給該產品配備了一個6Gbit/s的SAS接口。

• HGST在4月份推出了12Gbit/s SAS接口的SDD（SSD100MR）。

• HGST SSD 1000MR

• Plextor之前曾宣布它將在1月份的CES展會上展出一款TLC SSD，但是后來又在6月份放棄了那一計劃。

• SMART在5月份宣布推出了一款2TB的固態(tài)硬盤。

• 希捷在5月份宣布推出了一組3款固態(tài)硬盤，其中兩款配備6Gbit/s SATA接口，一款配備12Gbit/s SAS接口。

• 三星宣布推出一款1.6TB的固態(tài)硬盤，帶寬為3GB/s。

這都是一些循序漸進的升級產品，沒有令人眼前一亮的重要升級。固態(tài)硬盤表現(xiàn)得頗有些不慍不火。