前ASML首席科學家林楠推動中國EUV最新突破
2025年4月29日，據(jù)南華早報報道稱，國內(nèi)研究團隊成功構建一個以國際競爭參數(shù)運行的極紫外 (EUV) 光源平臺，突破了國產(chǎn)先進芯片的障礙。該團隊來自中國科學院上海光學精密機械研究所，由曾任荷蘭ASML公司光源技術負責人的林楠領導，這項成果...
崔 歡歡先進存力 第8頁
關注Flash、Memory、HBM、SSD、硬盤、閃存、存儲系統(tǒng)等方向的最新動態(tài)
崔 歡歡
2025年盤點：AI驅動下的新一代存儲介質們
在ChatGPT等大模型廣泛應用的今天，企業(yè)對存儲介質和架構也有了新需求——要速度快、容量大、能耗低、壽命長、還能適應多場景需求。 傳統(tǒng)的NAND Flash、DRAM已經(jīng)無法完全滿足AI、IoT、車載系統(tǒng)等對存儲的“全能”需求。加上今年新...
崔 歡歡
2025全球閃存峰會預熱：企業(yè)級SSD，你選PCIe 4.0還是5.0？?
算力、算法和數(shù)據(jù)，是AI技術持續(xù)突破的三大前提，其中，為實現(xiàn)算力的充分發(fā)揮，從NVLlink連接協(xié)議，到HBM內(nèi)存的選用，都是GPU能夠更好應對大模型訓練/推理的重要技術突破，哪里有瓶頸，就突破哪里！ 要么改變以適應AI，要么為AI所改變？...
張 妮娜
企業(yè)如何破局IT現(xiàn)代化轉型，戴爾科技提出“解耦架構”新思路
數(shù)智時代的IT基礎架構應該是什么樣子的？2025年4月24日，戴爾科技集團在北京舉辦2025年春季新品發(fā)布會?；顒悠陂g，戴爾科技發(fā)布多款服務器、存儲以及數(shù)據(jù)保護新產(chǎn)品，并創(chuàng)新采用“解耦架構”以打造現(xiàn)代化數(shù)據(jù)中心，這些就是戴爾科技給出的答案。...
朱 朋博
閃存發(fā)展史觀察：技術革命與智能未來
自1967年浮柵MOSFET發(fā)明以來，閃存技術就開啟了顛覆傳統(tǒng)存儲介質的征途。歷經(jīng)五十余年，從EPROM、EEPROM到2D NAND，再到現(xiàn)今主流的3D NAND、QLC、CXL、HBM等新興存儲技術，閃存市場幾度更迭、企業(yè)浮沉，構筑起龐...
崔 歡歡
戴爾科技以全棧創(chuàng)新解決方案智領行業(yè)新未來
中國 北京 – 2025年4月24日，以“為極致·更極智”為主題的2025年戴爾科技集團春季新品發(fā)布會在北京隆重舉行。秉持對技術邊界的不懈探索與對人文需求的深刻洞察，戴爾科技以“極致”的技術追求和“極智”的戰(zhàn)略遠見，回應企業(yè)現(xiàn)代化升級與用戶...
朱 朋博
SK海力士2025年Q1財報劃重點：AI芯片需求疊buff獲高利潤、DRAM營收首次超越三星
今天，韓國半導體廠商SK海力士公布了2025年第一季度財報，得益于人工智能芯片需求的激增以及客戶在美關稅實施前的提前備貨，公司實現(xiàn)了營業(yè)利潤7.44萬億韓元（約合51.9億美元），同比增長158%，營收達17.64萬億韓元，同比增長42%，...
崔 歡歡
世界讀書日：AI與存儲領域書單推薦
伴隨AI與存儲技術的深度融合，先進存力已成為驅動智能時代的支柱，為AI的高效推理與實時決策提供底層支撐。從大模型訓練所需的TB級帶寬到邊緣設備毫秒級響應的低延遲存儲，從傳統(tǒng)“數(shù)據(jù)倉庫”到具備自感知能力的智能存儲系統(tǒng)，AI與存儲的協(xié)同進化正重...
張 妮娜
Pure Storage開發(fā)FlashBlade//EXA系統(tǒng)背后
近六十年間，全球閃存市場迅速發(fā)展，市場蛋糕逐漸擴大，全閃市場也開始積極拓展版圖，2008年，Violin率先推出了基于全閃存的存儲設備，隨后2009年，全閃存儲系統(tǒng)公司Pure Storage成立，跟著一行拿到入場券的初創(chuàng)公司隨時面對被收購...
崔 歡歡
憶芯科技產(chǎn)品陣列丨從云到邊，構建AI智能時代的數(shù)據(jù)底座
隨著大語言模型規(guī)模不斷擴大，生成式AI不斷演進，全球數(shù)據(jù)量的暴漲，2025年全球產(chǎn)生的數(shù)據(jù)量將達到163ZB，中國數(shù)據(jù)圈2025年將增長至48.6ZB。 同時，數(shù)據(jù)存儲形式也發(fā)生了轉移，企業(yè)創(chuàng)建的數(shù)據(jù)量早已超過消費者，成為數(shù)據(jù)產(chǎn)生最大的來源...
崔 歡歡