【圖 1 點(diǎn)擊進(jìn)入專題】

第一個(gè)做主題演講的是英特爾中國(guó)區(qū)董事長(zhǎng)、英特爾的公司的全球執(zhí)行副總監(jiān)馬宏升，他演講的主題為“英特爾與中國(guó)共贏未來(lái)”，馬宏升介紹了英特爾推動(dòng)核心技術(shù)的創(chuàng)新。

他重點(diǎn)介紹了三柵極的晶體管能夠很明確的改善用戶的體驗(yàn)，包括超極本、PC以及服務(wù)器。當(dāng)然，也非常適用于體積更小，更便于攜帶的設(shè)備，比如說(shuō)平板電腦和智能手機(jī)。

【圖2 英特爾中國(guó)區(qū)董事長(zhǎng)、英特爾的公司的全球執(zhí)行副總監(jiān)馬宏升】

就像戈登.摩爾自己說(shuō)的，摩爾法則不是一個(gè)法則，而是一個(gè)機(jī)遇。

在2007年，英特爾推出了世界上第一個(gè)高K金屬柵極技術(shù)，這個(gè)的推出領(lǐng)先于我們整個(gè)行業(yè)三年。2011年，英特爾又推出了一個(gè)重大突破——實(shí)現(xiàn)了22納米的制程技術(shù)，馬宏升稱之為“科學(xué)奇跡”。

那么，22納米到底有多大?實(shí)際上你用肉眼是看不見(jiàn)的。

馬宏升通過(guò)一個(gè)很有趣的對(duì)比形象地說(shuō)明了22nm的體積之小，它用了比納米級(jí)的晶體管大很多的幾個(gè)模型，如果把晶體管放大到模型的比例放大，馬宏升本人的體積將可以超過(guò)地球了。

為什么說(shuō)它是一個(gè)革命性的進(jìn)步呢?首先我們要理解平面晶體管的工作方式。晶體管是一個(gè)開(kāi)關(guān)，跟大家家里的開(kāi)關(guān)一樣。關(guān)上開(kāi)關(guān)，實(shí)際上代表著邏輯的0，打開(kāi)是代表著一個(gè)邏輯的1。開(kāi)和關(guān)的概念，0和1的概念，實(shí)際上是涵蓋了我們生活中接觸到的所有數(shù)字技術(shù)。

一個(gè)晶體管有幾個(gè)組成部分，源極，柵極，高K介電材料,高K介電材料能夠降低柵極的漏電。在柵極的電壓為0時(shí)，晶體管就關(guān)閉了，電子就不會(huì)從源極流到漏極，電壓附加到柵極上，晶體管就打開(kāi)了。電子就自由的從源極流到漏極。

什么是好的晶體管呢?我們來(lái)設(shè)想另外一個(gè)非常常見(jiàn)的開(kāi)關(guān)，也是在家庭當(dāng)中常見(jiàn)的——淋浴，關(guān)上淋浴的時(shí)候，不希望水滴下來(lái)，打開(kāi)淋浴的時(shí)候，希望這個(gè)水能夠有很好的水流出來(lái)，水量很高，可以很好的沖澡。對(duì)于晶體管是一樣的，我們希望控制好關(guān)閉的狀態(tài)，確保沒(méi)有漏電的情況。打開(kāi)的時(shí)候，我們希望有很強(qiáng)的電流。

晶體管也應(yīng)該能夠很快速的在開(kāi)關(guān)之間進(jìn)行切換，三柵極的晶體管，不像平面晶體管。三柵極的晶體管用一個(gè)鰭狀物的結(jié)構(gòu)，這樣3D的結(jié)構(gòu)，能夠改善開(kāi)和關(guān)的狀態(tài)的特性。那么在三柵極晶體管打開(kāi)的時(shí)候，電子能夠通過(guò)這個(gè)表面，通過(guò)鰭狀物的表面，以及兩邊流動(dòng)。所以，它的表面極更大，這樣能夠產(chǎn)生更大的開(kāi)的電流。

通過(guò)利用3D的設(shè)計(jì)，能夠控制3個(gè)方面的能力：使得能夠降低漏電壓;同時(shí)，能夠更快的在開(kāi)關(guān)之間進(jìn)行切換;3D的晶體管體積更小，速度更快，能耗要低很多。它的設(shè)計(jì)是基于英特爾的應(yīng)變硅技術(shù)，以及高K金屬柵極的技術(shù)。那么，我們就能夠在低電壓，實(shí)現(xiàn)30%的性能提高。以及在持續(xù)性能降低，耗能高達(dá)50%。

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