NOR型與NAND型閃存的區(qū)別很大，打個(gè)比方說(shuō)，NOR型閃存更像內(nèi)存，有獨(dú)立的地址線和數(shù)據(jù)線，但價(jià)格比較貴，容量比較小;而NAND型更像硬盤(pán)，地址線和數(shù)據(jù)線是共用的I/O線，類(lèi)似硬盤(pán)的所有信息都通過(guò)一條硬盤(pán)線傳送一般，而且NAND型與NOR型閃存相比，成本要低一些，而容量大得多。因此，NOR型閃存比較適合頻繁隨機(jī)讀寫(xiě)的場(chǎng)合，通常用于存儲(chǔ)程序代碼并直接在閃存內(nèi)運(yùn)行，手機(jī)就是使用NOR型閃存的大戶(hù)，所以手機(jī)的“內(nèi)存”容量通常不大;NAND型閃存主要用來(lái)存儲(chǔ)資料，我們常用的閃存產(chǎn)品，如閃存盤(pán)、數(shù)碼存儲(chǔ)卡都是用NAND型閃存。

單片機(jī)閃存這里我們還需要端正一個(gè)概念，那就是閃存的速度其實(shí)很有限，它本身操作速度、頻率就比內(nèi)存低得多，而且NAND型閃存類(lèi)似硬盤(pán)的操作方式效率也比內(nèi)存的直接訪問(wèn)方式慢得多。因此，不要以為閃存盤(pán)的性能瓶頸是在接口，甚至想當(dāng)然地認(rèn)為閃存盤(pán)采用USB2.0接口之后會(huì)獲得巨大的性能提升。

前面提到NAND型閃存的操作方式效率低，這和它的架構(gòu)設(shè)計(jì)和接口設(shè)計(jì)有關(guān)，它操作起來(lái)確實(shí)挺像硬盤(pán)(其實(shí)NAND型閃存在設(shè)計(jì)之初確實(shí)考慮了與硬盤(pán)的兼容性)，它的性能特點(diǎn)也很像硬盤(pán)：小數(shù)據(jù)塊操作速度很慢，而大數(shù)據(jù)塊速度就很快，這種差異遠(yuǎn)比其他存儲(chǔ)介質(zhì)大的多。這種性能特點(diǎn)非常值得我們留意。

閃存存取比較快速，無(wú)噪音，散熱小。用戶(hù)打算購(gòu)置的話可以不考慮太多多，同樣存儲(chǔ)空間買(mǎi)閃存。如果硬盤(pán)空間大就買(mǎi)硬盤(pán)，也可以滿(mǎn)足用戶(hù)應(yīng)用的需求。

按種類(lèi)分

U盤(pán)、CF卡、SM卡、SD/MMC卡、記憶棒、XD卡、MS卡、TF卡

按品牌分

金士頓、索尼、晟碟、Kingmax、鷹泰、創(chuàng)見(jiàn)、愛(ài)國(guó)者、紐曼、威剛、聯(lián)想、臺(tái)電。

【NAND型閃存】?jī)?nèi)存和NOR型閃存的基本存儲(chǔ)單元是bit，用戶(hù)可以隨機(jī)訪問(wèn)任何一個(gè)bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲(chǔ)單元是頁(yè)(Page)(可以看到，NAND型閃存的頁(yè)就類(lèi)似硬盤(pán)的扇區(qū)，硬盤(pán)的一個(gè)扇區(qū)也為512字節(jié))。每一頁(yè)的有效容量是512字節(jié)的倍數(shù)。所謂的有效容量是指用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的部分，實(shí)際上還要加上16字節(jié)的校驗(yàn)信息，因此我們可以在閃存廠商的技術(shù)資

Sandisk料當(dāng)中看到“(512+16)Byte”的表示方式。目前2Gb以下容量的NAND型閃存絕大多數(shù)是(512+16)字節(jié)的頁(yè)面容量，2Gb以上容量的NAND型閃存則將頁(yè)容量擴(kuò)大到(2048+64)字節(jié)。

NAND型閃存以塊(sector)為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫(xiě)入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù)據(jù)，必須先擦除后寫(xiě)入，因此擦除操作是閃存的基本操作。一般每個(gè)塊包含32個(gè)512字節(jié)的頁(yè)(page)，容量16KB;而大容量閃存采用2KB頁(yè)時(shí)，則每個(gè)塊包含64個(gè)頁(yè)，容量128KB。

每顆NAND型閃存的I/O接口一般是8條，每條數(shù)據(jù)線每次傳輸(512+16)bit信息，8條就是(512+16)×8bit，也就是前面說(shuō)的512字節(jié)。但較大容量的NAND型閃存也越來(lái)越多地采用16條I/O線的設(shè)計(jì)，如三星編號(hào)K9K1G16U0A的芯片就是64M×16bit的NAND型閃存，容量1Gb，基本數(shù)據(jù)單位是(256+8)×16bit，還是512字節(jié)。

尋址時(shí)，NAND型閃存通過(guò)8條I/O接口數(shù)據(jù)線傳輸?shù)刂沸畔堪鼈魉?位地址信息。由于閃存芯片容量比較大，一組8位地址只夠?qū)ぶ?56個(gè)頁(yè)，顯然是不夠的，因此通常一次地址傳送需要分若干組，占用若干個(gè)時(shí)鐘周期。NAND的地址信息包括列地址(頁(yè)面中的起始操作地址)、塊地址和相應(yīng)的頁(yè)面地址，傳送時(shí)分別分組，至少需要三次，占用三個(gè)周期。隨著容量的增大，地址信息會(huì)更多，需要占用更多的時(shí)鐘周期傳輸，因此NAND型閃存的一個(gè)重要特點(diǎn)就是容量越大，尋址時(shí)間越長(zhǎng)。而且，由于傳送地址周期比其他存儲(chǔ)介質(zhì)長(zhǎng)，因此NAND型閃存比其他存儲(chǔ)介質(zhì)更不適合大量的小容量讀寫(xiě)請(qǐng)求。

頁(yè)數(shù)量

前面已經(jīng)提到，越大容量閃存的頁(yè)越多、頁(yè)越大，尋址時(shí)間越長(zhǎng)。但這個(gè)時(shí)間的延長(zhǎng)不是線性關(guān)系，而是一個(gè)一個(gè)的臺(tái)階變化的。譬如128、256Mb的芯片需要3個(gè)周期傳送地址信號(hào)，512Mb、1Gb的需要4個(gè)周期，而2、4Gb的需要5個(gè)周期。

頁(yè)容量

每一頁(yè)的容量決定了一次可以傳輸?shù)臄?shù)據(jù)量，因此大容量的頁(yè)有更好的性能。前面提到大容量閃存(4Gb)提高了頁(yè)的容量，從512字節(jié)提高到2KB。頁(yè)容量的提高不但易于提高容量，更可以提高傳輸性能。我們可以舉例子說(shuō)明。以三星K9K1G08U0M和K9K4G08U0M為例，前者為1Gb，512字節(jié)頁(yè)容量，隨機(jī)讀(穩(wěn)定)時(shí)間 12μs，寫(xiě)時(shí)間為200μs;后者為4Gb，2KB頁(yè)容量，隨機(jī)讀(穩(wěn)定)時(shí)間25μs，寫(xiě)時(shí)間為300μs。假設(shè)它們工作在20MHz。

讀取性能

NAND型閃存的讀取步驟分為：發(fā)送命令和尋址信息→將數(shù)據(jù)傳向頁(yè)面寄存器(隨機(jī)讀穩(wěn)定時(shí)間)→數(shù)據(jù)傳出(每周期8bit，需要傳送512+16或2K+64次)。

K9K1G08U0M讀一個(gè)頁(yè)需要：5個(gè)命令、尋址周期×50ns+12μs+(512+16)×50ns=38.7μs;K9K1G08U0M實(shí)際讀傳輸率：512 字節(jié)÷38.7μs=13.2MB/s;K9K4G08U0M讀一個(gè)頁(yè)需要：6個(gè)命令、尋址周期×50ns+25μs+ (2K+64)×50ns=131.1μs;K9K4G08U0M實(shí)際讀傳輸率：2KB字節(jié)÷131.1μs=15.6MB/s。因此，采用2KB頁(yè)容量比512字節(jié)頁(yè)容量約提高讀性能20%。

寫(xiě)入性能

NAND型閃存的寫(xiě)步驟分為：發(fā)送尋址信息→將數(shù)據(jù)傳向頁(yè)面寄存器→發(fā)送命令信息→數(shù)據(jù)從寄存器寫(xiě)入頁(yè)面。其中命令周期也是一個(gè)，我們下面將其和尋址周期合并，但這兩個(gè)部分并非連續(xù)的。

K9K1G08U0M寫(xiě)一個(gè)頁(yè)需要：5個(gè)命令、尋址周期×50ns+ (512+16)×50ns+200μs=226.7μs。K9K1G08U0M實(shí)際寫(xiě)傳輸率：512字節(jié)÷226.7μs=2.2MB/s。 K9K4G08U0M寫(xiě)一個(gè)頁(yè)需要：6個(gè)命令、尋址周期×50ns+(2K+64)×50ns+300μs=405.9μs。K9K4G08U0M實(shí)際寫(xiě)傳輸率：2112字節(jié)/405.9μs=5MB/s。因此，采用2KB頁(yè)容量比512字節(jié)頁(yè)容量提高寫(xiě)性能兩倍以上。

塊容量

塊是擦除操作的基本單位，由于每個(gè)塊的擦除時(shí)間幾乎相同(擦除操作一般需要2ms，而之前若干周期的命令和地址信息占用的時(shí)間可以忽略不計(jì))，塊的容量將直接決定擦除性能。大容量 NAND型閃存的頁(yè)容量提高，而每個(gè)塊的頁(yè)數(shù)量也有所提高，一般4Gb芯片的塊容量為2KB×64個(gè)頁(yè)=128KB，1Gb芯片的為512字節(jié)×32個(gè)頁(yè)=16KB?？梢钥闯?，在相同時(shí)間之內(nèi)，前者的擦速度為后者8倍!

I/O位寬

以往NAND型閃存的數(shù)據(jù)線一般為8條，不過(guò)從256Mb產(chǎn)品開(kāi)始，就有16條數(shù)據(jù)線的產(chǎn)品出現(xiàn)了。但由于控制器等方面的原因，x16芯片實(shí)際應(yīng)用的相對(duì)比較少，但將來(lái)數(shù)量上還是會(huì)呈上升趨勢(shì)的。雖然x16的芯片在傳送數(shù)據(jù)和地址信息時(shí)仍采用8位一組，占用的周期也不變，但傳送數(shù)據(jù)時(shí)就以16位為一組，帶寬增加一倍。K9K4G16U0M就是典型的64M×16芯片，它每頁(yè)仍為2KB，但結(jié)構(gòu)為(1K+32)×16bit。

模仿上面的計(jì)算，我們得到如下。K9K4G16U0M讀一個(gè)頁(yè)需要：6個(gè)命令、尋址周期 ×50ns+25μs+(1K+32)×50ns=78.1μs。K9K4G16U0M實(shí)際讀傳輸率：2KB字節(jié)÷78.1μs=26.2MB/s。 K9K4G16U0M寫(xiě)一個(gè)頁(yè)需要：6個(gè)命令、尋址周期×50ns+(1K+32)×50ns+300μs=353.1μs。K9K4G16U0M實(shí)際寫(xiě)傳輸率：2KB字節(jié)÷353.1μs=5.8MB/s

可以看到，相同容量的芯片，將數(shù)據(jù)線增加到16條后，讀性能提高近70%，寫(xiě)性能也提高16%。

頻率

工作頻率的影響很容易理解。NAND型閃存的工作頻率在20～33MHz，頻率越高性能越好。前面以K9K4G08U0M為例時(shí)，我們假設(shè)頻率為20MHz，如果我們將頻率提高一倍，達(dá)到40MHz，則K9K4G08U0M讀一個(gè)頁(yè)需要：6個(gè)命令、尋址周期×25ns+25μs+ (2K+64)×25ns=78μs。K9K4G08U0M實(shí)際讀傳輸率：2KB字節(jié)÷78μs=26.3MB/s?？梢钥吹剑绻鸎9K4G08U0M 的工作頻率從20MHz提高到40MHz，讀性能可以提高近70%!當(dāng)然，上面的例子只是為了方便計(jì)算而已。在三星實(shí)際的產(chǎn)品線中，可工作在較高頻率下的應(yīng)是K9XXG08UXM，而不是K9XXG08U0M，前者的頻率目前可達(dá)33MHz。

制造工藝可以影響晶體管的密度，也對(duì)一些操作的時(shí)間有影響。譬如前面提到的寫(xiě)穩(wěn)定和讀穩(wěn)定時(shí)間，它們?cè)谖覀兊挠?jì)算當(dāng)中占去了時(shí)間的重要部分，尤其是 寫(xiě)入時(shí)。如果能夠降低這些時(shí)間，就可以進(jìn)一步提高性能。90nm的制造工藝能夠改進(jìn)性能嗎?答案恐怕是否!目前的實(shí)際情況是，隨著存儲(chǔ)密度的提高，需要的 讀、寫(xiě)穩(wěn)定時(shí)間是呈現(xiàn)上升趨勢(shì)的。前面的計(jì)算所舉的例子中就體現(xiàn)了這種趨勢(shì)，否則4Gb芯片的性能提升更加明顯。

綜合來(lái)看，大容量的NAND型閃存芯片雖然尋址、操作時(shí)間會(huì)略長(zhǎng)，但隨著頁(yè)容量的提高，有效傳輸率還是會(huì)大一些，大容量的芯片符合市場(chǎng)對(duì)容量、成本 和性能的需求趨勢(shì)。而增加數(shù)據(jù)線和提高頻率，則是提高性能的最有效途徑，但由于命令、地址信息占用操作周期，以及一些固定操作時(shí)間(如信號(hào)穩(wěn)定時(shí)間等)等 工藝、物理因素的影響，它們不會(huì)帶來(lái)同比的性能提升。

1Page=(2K+64)Bytes;1Block=(2K+64)B×64Pages=(128K+4K)Bytes;1Device=(2K+64)B×64Pages×4096Blocks=4224Mbits

其中：A0～11對(duì)頁(yè)內(nèi)進(jìn)行尋址，可以被理解為“列地址”。

A12～29對(duì)頁(yè)進(jìn)行尋址，可以被理解為“行地址”。為了方便，“列地址”和“行地址”分為兩組傳輸，而不是將它們直接組合起來(lái)一個(gè)大組。因此每組 在最后一個(gè)周期會(huì)有若干數(shù)據(jù)線無(wú)信息傳輸。沒(méi)有利用的數(shù)據(jù)線保持低電平。NAND型閃存所謂的“行地址”和“列地址”不是我們?cè)贒RAM、SRAM中所熟 悉的定義，只是一種相對(duì)方便的表達(dá)方式而已。為了便于理解，我們可以將上面三維的NAND型閃存芯片架構(gòu)圖在垂直方向做一個(gè)剖面，在這個(gè)剖面中套用二維的 “行”、“列”概念就比較直觀了。

“優(yōu)盤(pán)”是閃存走進(jìn)日常生活的最明顯寫(xiě)照，其實(shí)早在U盤(pán)之前，閃存已經(jīng)出現(xiàn)在許多電子產(chǎn)品之中。傳統(tǒng)的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)方式是采用RAM的易失存儲(chǔ)，電池沒(méi)電了數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。

采用閃存的產(chǎn)品，克服了這一毛病，使得數(shù)據(jù)存儲(chǔ)更為可靠。除了閃存盤(pán)，閃存還被應(yīng)用在計(jì)算機(jī)中的BIOS、PDA、數(shù)碼相機(jī)、錄音筆、手機(jī)、數(shù)字電視、游戲機(jī)等電子產(chǎn)品中。

追溯到1998年，優(yōu)盤(pán)進(jìn)入市場(chǎng)。接口由USB1.0發(fā)展到2.0，速度逐漸提高。U盤(pán)的盛行還間接促進(jìn)了USB接口的推廣。為什么U盤(pán)這么受到人們歡迎呢?

閃存盤(pán)可用來(lái)在電腦之間交換數(shù)據(jù)。從容量上講，閃存盤(pán)的容量從16MB到2GB可選，突破了軟驅(qū)1.44MB的局限性。從讀寫(xiě)速度上講，閃存盤(pán)采用 USB接口，讀寫(xiě)速度比軟盤(pán)高許多。從穩(wěn)定性上講，閃存盤(pán)沒(méi)有機(jī)械讀寫(xiě)裝置，避免了移動(dòng)硬盤(pán)容易碰傷、跌落等原因造成的損壞。部分款式閃存盤(pán)具有加密等功 能，令用戶(hù)使用更具個(gè)性化。閃存盤(pán)外形小巧，更易于攜帶。且采用支持熱插拔的USB接口，使用非常方便。

目前，閃存正朝大容量、低功耗、低成本的方向發(fā)展。與傳統(tǒng)硬盤(pán)相比，閃存的讀寫(xiě)速度高、功耗較低，目前市場(chǎng)上已經(jīng)出現(xiàn)了閃存硬盤(pán)，也就是SSD硬盤(pán)，目前該硬盤(pán)的性?xún)r(jià)比進(jìn)一步提升。隨著制造工藝的提高、成本的降低，閃存將更多地出現(xiàn)在日常生活之中。

如果單從儲(chǔ)存介質(zhì)上來(lái)說(shuō) ，閃存比硬盤(pán)好。這是指數(shù)據(jù)傳輸?shù)乃俣冗€有抗震度來(lái)說(shuō)(閃存不存在抗震)。

優(yōu)點(diǎn)：

1.閃存的體積小。并不是說(shuō)閃存的集成度就一定會(huì)高。微硬盤(pán)做的這么大一塊主要原因就是微硬盤(pán)不能做的小過(guò)閃存，并不代表微硬盤(pán)的集成度就不高。

2.相對(duì)于硬盤(pán)來(lái)說(shuō)閃存結(jié)構(gòu)不怕震，更抗摔。硬盤(pán)最怕的就是強(qiáng)烈震動(dòng)。雖然我們使用的時(shí)候可以很小心，但老虎也有打盹的時(shí)候，不怕一萬(wàn)就怕萬(wàn)一。

3.閃存可以提供更快的數(shù)據(jù)讀取速度，硬盤(pán)則受到轉(zhuǎn)速的限制。

4.質(zhì)量輕。

在1984年，東芝公司的發(fā)明人Fujio Masuoka 首先提出了快速閃存存儲(chǔ)器(此處簡(jiǎn)稱(chēng)閃存)的概念。與傳統(tǒng)電腦內(nèi)存不同，閃存的特點(diǎn)是非易失性(也就是所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)在主機(jī)掉電后不會(huì)丟失)，其記錄速度也非?？臁?/p>

Intel是世界上第一個(gè)生產(chǎn)閃存并將其投放市場(chǎng)的公司。1988年，公司推出了一款256K bit閃存芯片。它如同鞋盒一樣大小，并被內(nèi)嵌于一個(gè)錄音機(jī)里。後來(lái)，Intel發(fā)明的這類(lèi)閃存被統(tǒng)稱(chēng)為NOR閃存。它結(jié)合EPROM(可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器)和EEPROM(電可擦除可編程只讀存儲(chǔ)器)兩項(xiàng)技術(shù)，并擁有一個(gè)SRAM接口。

第二種閃存稱(chēng)為NAND閃存。它由日立公司于 1989年研制，并被認(rèn)為是NOR閃存的理想替代者。NAND閃存的寫(xiě)周期比NOR閃存短90%，它的保存與刪除處理的速度也相對(duì)較快。NAND的存儲(chǔ)單元只有NOR的一半，在更小的存儲(chǔ)空間中NAND獲得了更好的性能。鑒于NAND出色的表現(xiàn)，它常常被應(yīng)用于諸如CompactFlash、 SmartMedia、 SD、 MMC、 xD、 and PC cards、USB sticks等存儲(chǔ)卡上。

閃存的市場(chǎng)現(xiàn)狀分析

目前的閃存市場(chǎng)仍屬于群雄爭(zhēng)霸的末成熟時(shí)期。三星、日立、Spansion和Intel是這個(gè)市場(chǎng)的四大生產(chǎn)商。

由于戰(zhàn)略上的一些錯(cuò)誤，Intel在第一次讓出了它的榜首座椅，下落至三星、日立和Spansion之後。

AMD閃存業(yè)務(wù)部門(mén)Spansion同時(shí)生產(chǎn)NAND和NOR閃存。它上半年的NOR閃存產(chǎn)量幾乎與Intel持平，成為NOR閃存的最大制造商。該公司在上半年贏利為13億美元，幾乎是它整個(gè)公司利潤(rùn)額(25億美元)的一半以上。

總體而言，Intel和AMD在上半年成績(jī)喜人，但三星和日立卻遭受挫折。

據(jù)市場(chǎng)調(diào)研公司iSuppli所做的估計(jì)，今年全球的閃存收益將達(dá)到166億美元，比2003年(116.4億美元)上漲46%。消息者對(duì)數(shù)碼相機(jī)、USB sticks和壓縮式MP3播放器內(nèi)存的需求將極大推動(dòng)閃存的銷(xiāo)售。據(jù)預(yù)測(cè)，2005年閃存的銷(xiāo)售額將達(dá)到175億美元。不過(guò)，iSuppli估計(jì)，2005年至2008年閃存的利潤(rùn)增漲將有所回落，最高將達(dá)224億美元。

新的替代品是否可能?

與許多壽命短小的信息技術(shù)相比，閃存以其16年的發(fā)展歷程，充分顯示了其“老前輩”的作風(fēng)。九十年代初，閃存才初入市場(chǎng);至2000年，利益額已突破十億美元。英飛凌科技閃存部門(mén)主任，彼得曾說(shuō)：“就閃存的生命周期而言，我們?nèi)蕴幱谝粋€(gè)上升的階段。”英飛凌相信，閃存的銷(xiāo)售仍具有上升空間，并在醞釀加入對(duì)該市場(chǎng)的投入。英飛凌在今年初宣布，其位于德累斯頓的200毫米DRAM工廠已經(jīng)開(kāi)始生產(chǎn)512Mb NAND兼容閃存芯片。到2004年底，英飛凌公司計(jì)劃采用170納米制造工藝，每月制造超過(guò)10,000片晶圓。而2007年，該公司更希望在NAND市場(chǎng)成為前三甲。

此外，Intel技術(shù)與制造集團(tuán)副總載Stefan Lai認(rèn)為，在2008年之前，閃存將不可替代。2006年，Intel將首先采用65納米技術(shù);到2008年，目前正在研發(fā)的新一代45納米技術(shù)將有望投放市場(chǎng)。Stefan Lai覺(jué)得，目前的預(yù)測(cè)仍然比較淺顯，或許32納米、22納米技術(shù)完全有可能實(shí)現(xiàn)。但Stefan Lai也承認(rèn)，2008年至2010年，新的技術(shù)可能會(huì)取而代之。

盡管對(duì)閃存替代品的討論越來(lái)越激勵(lì)，閃存仍然受到市場(chǎng)的重視。未來(lái)的替代品不僅必須是類(lèi)似閃存一樣的非易失性存儲(chǔ)器，而且在速度和寫(xiě)周期上略勝一籌。此外，生產(chǎn)成本也應(yīng)該相對(duì)低廉。由于現(xiàn)在制造技術(shù)還不成熟，新的替代品不會(huì)對(duì)閃存構(gòu)成絕對(duì)的威脅。下面就讓我們來(lái)認(rèn)識(shí)一下幾種能的替代產(chǎn)品：

核心提示：閃存盤(pán)是直接用于電腦的，使用方便;而其它的Flash memory 產(chǎn)品(CompactFlash SmartMedia MultiMedia Memory Card Memory Stick Secure Digital Card)都需要有驅(qū)動(dòng)器才可以接上電腦。1.什么是usb2.0usb 2.0是usb技術(shù)

閃存盤(pán)是直接用于電腦的，使用方便;而其它的Flash memory 產(chǎn)品(CompactFlash SmartMedia MultiMedia Memory Card Memory Stick Secure Digital Card)都需要有驅(qū)動(dòng)器才可以接上電腦。

讀寫(xiě)閃存時(shí)，是否可以運(yùn)行其它應(yīng)用程序?

可以。

閃存可擦寫(xiě)多少次?閃存里的數(shù)據(jù)能保存多久?

閃存可擦寫(xiě)1,000,000次，閃存里數(shù)據(jù)可保存10年

一臺(tái)電腦可同時(shí)接幾個(gè)閃存?

理論上一臺(tái)電腦可同時(shí)接127個(gè)閃存，但由于驅(qū)動(dòng)器英文字母的排序原因， 以及現(xiàn)有的驅(qū)動(dòng)器需占用幾個(gè)英文字母，故閃存盤(pán)最多只可以接23個(gè)(除開(kāi) A、B、C)， 且需要USB HUB的協(xié)助。

閃存在DOS狀態(tài)下能否使用？

閃存支持WINDOWS虛擬DOS方式(啟動(dòng)Windows后在附件中進(jìn)入)。支持啟動(dòng)功能的優(yōu)盤(pán)在通過(guò)閃存盤(pán)成功啟動(dòng)電腦的狀態(tài)下，能夠以DOS命令方式操作。

WINDOWS NT4.0下閃存盤(pán)如何使用?

不能。因?yàn)閃INDOWS NT4.0操作系統(tǒng)不支持USB設(shè)備，而閃存盤(pán)是基于USB的設(shè)備。

閃存可以在什么驅(qū)動(dòng)程序下使用?

A9 Windows98、Windows ME、Windows 2000、Windows XP、MAC OS、Linux.

閃存是否需要驅(qū)動(dòng)程序?

在Mac OS 、Windows 2000以上版本上不需要，在Win 98上需要驅(qū)動(dòng)程序

閃存可以在Windows 98 / Windows 2000 / Mac OS下被格式化嗎?

可以。

閃存的內(nèi)容能否加密?

可以。

閃存在局域網(wǎng)里是否可以共享?

可以。

閃存可以存儲(chǔ)哪些類(lèi)型的數(shù)據(jù)?

所有電腦數(shù)據(jù)都可以存儲(chǔ)，包括文件、程序、圖象、音樂(lè)、多媒體等。

安裝閃存時(shí)是否需要關(guān)閉電腦?

不需要，閃存是即插即用型產(chǎn)品，可以進(jìn)行插拔。

閃存可以防水嗎?

閃存是電子類(lèi)產(chǎn)品，掉入水中后可能會(huì)造成閃存盤(pán)內(nèi)部短路而損壞。

插拔閃存時(shí)，有哪些注意事項(xiàng)？

當(dāng)閃存盤(pán)指示燈快閃時(shí)，即電腦在讀寫(xiě)閃存盤(pán)狀態(tài)下，不要拔下閃存;當(dāng)插入閃存后，最好不要立即拔出。特別是不要反復(fù)快速插拔，因?yàn)椴僮飨到y(tǒng)需要一定的反應(yīng)時(shí)間，中間的間隔最好在5秒以上。

閃存是否會(huì)感染病毒?

閃存像所有硬盤(pán)一樣可能感染病毒

閃存用于桌面電腦時(shí)，并且USB接口在電腦的后面時(shí)，有什么辦法使之更方便?

通過(guò)一條USB轉(zhuǎn)接電纜(具有 A-Type Plug and A-Type Receptacle)與電腦連接

閃存上的文件出現(xiàn)亂碼或文件打不開(kāi)

使用閃存專(zhuān)用工具做格式化

雙擊閃存盤(pán)盤(pán)符時(shí)，電腦提示閃存盤(pán)需格式化

當(dāng)閃存分區(qū)表遭到破壞或是閃存性能不穩(wěn)定時(shí)，會(huì)出現(xiàn)上述現(xiàn)象。出現(xiàn)這種問(wèn)題，一般可以使用閃存專(zhuān)用工具做格式化

閃存寫(xiě)保護(hù)不起作用，在寫(xiě)保護(hù)關(guān)鎖狀態(tài)，數(shù)據(jù)也能夠順利寫(xiě)入。

切換閃存寫(xiě)保護(hù)開(kāi)關(guān)，需要在斷開(kāi)與電腦的聯(lián)接的狀態(tài)下進(jìn)行。如果是在與電腦聯(lián)接狀態(tài)下切換了寫(xiě)保護(hù)開(kāi)關(guān)，需要重新插拔一次閃存，才能切實(shí)使切換起作用。

除了上文提到的MRAM和OUM，其它可替代的產(chǎn)品還有MRAM (FeRAM)、 Polymer memory (PFRAM)、 PCRAM、 Conductive Bridge RAM (CBRAM)、 Organic RAM (ORAM)以及最近的Nanotube RAM (NRAM)。目前替代閃存的產(chǎn)品有許多，但是哪條路能夠成功，以及何時(shí)成功仍然值得懷疑。

對(duì)大多數(shù)公司而言，閃存仍是一個(gè)理想的投資。不少公司已決定加大對(duì)閃存的投資額。此外，據(jù)估計(jì)，到2004年，閃存總產(chǎn)值將與DRAM并駕齊驅(qū)，到2006年將超越DRAM產(chǎn)品。因?yàn)椋谄诖乱淮a(chǎn)品的同時(shí)，我們也不應(yīng)該忽視目前已有的市場(chǎng)。

huanghui