構(gòu)成SSD的NAND閃存使用浮柵極-金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，在寫入數(shù)據(jù)時(shí)需要一個(gè)P/E(編程/擦除)周期，這個(gè)過程的電場(chǎng)會(huì)擊穿浮棚極，次數(shù)多了就會(huì)失效，形成壞扇區(qū)。目前主流SSD采用MLC(多層存儲(chǔ)單元)的P/E生命周期僅有3000-5000次，如果一味追求性能而不顧使用壽命，SSD很快就壞掉。評(píng)測(cè)實(shí)驗(yàn)室的性能測(cè)試不會(huì)考慮到SSD的使用壽命，一味追求極限性能而不顧及使用壽命只能是少數(shù)玩家炫耀的做法。

OCZ 關(guān)注用戶體驗(yàn)，在不影響性能的情況下延長(zhǎng)SSD的使用壽命，實(shí)際上OCZ給Vertex 4提供了長(zhǎng)達(dá)五年的質(zhì)保，也說明OCZ SSD的長(zhǎng)壽。但是一些評(píng)測(cè)人員是不會(huì)考慮這點(diǎn)的，他們會(huì)炫耀自己的跑分成績(jī)，實(shí)際上他們也知道很多跑分成績(jī)沒有實(shí)際意義，比如前面說到的連續(xù)寫入測(cè)試。 OCZ Vertex 4當(dāng)數(shù)據(jù)寫入超過50%時(shí)會(huì)進(jìn)行一次十幾分鐘的GC(垃圾回收)，這個(gè)GC只會(huì)進(jìn)行一次，在GC時(shí)Vertex 4會(huì)切換到標(biāo)準(zhǔn)模式(存儲(chǔ)模式)。如果測(cè)試人員不去了解OCZ的Ndurance 2.0技術(shù)，只是看到測(cè)試過程中由于GC影響性能，就推斷Vertex 4性能不好，這不但是片面的而且也不公正，因?yàn)镚C只會(huì)發(fā)生一次，之后針對(duì)寫入的性能恢復(fù)速度都會(huì)比之前的更快，完全不影響用戶體驗(yàn)。

Ndurance 2.0技術(shù)包括改善ECC，提高出錯(cuò)糾正能力，通過修正電壓和信號(hào)處理技術(shù)減少NAND閃存退化，擁有RNA數(shù)據(jù)保護(hù)技術(shù)。Ndurance 2.0還減少寫入放大率，很多廠商是通過壓縮數(shù)據(jù)來減少寫入放大率的，而OCZ無需耗費(fèi)時(shí)間的數(shù)據(jù)壓縮就可以實(shí)現(xiàn)。Ndurance 2.0的這些底層技術(shù)對(duì)用戶來說是透明的，但和GC一樣都是為了提高SSD的使用壽命。實(shí)際上OCZ的Vertex 4性能很強(qiáng)悍，是目前最快的SSD之一，但它更多的考慮了使用壽命的問題，讓用戶玩轉(zhuǎn)SSD而無后顧之憂。

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