內(nèi)存功耗發(fā)展趨勢

DDR4內(nèi)存功耗相比DDR3降低40%。

采用超低電壓設(shè)計

DDR4的架構(gòu)還包括一個8n的預(yù)讀取的兩個或者四個的存儲集合，這樣的設(shè)計能夠保證DDR4具有高效的靈活性，將讀操作和寫操作兩個分開，分別在兩個不同的存儲集合里面。同時該文件中還對內(nèi)存的功耗和帶寬進行了改善，尤其是在使用小顆粒的時候。

盡管DDR4標(biāo)準(zhǔn)已經(jīng)定稿，但是并不能對目前市場上的DRAM造成有效的沖擊。iSuppli預(yù)計在2014年全球的占有率僅僅達到12%，而在2015年的時候這個才開始慢慢普及。

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