三星DDR4內(nèi)存(圖片來自國外)

目前，三星采用30nm級別制程工藝，上個月試樣的產(chǎn)品包括單條6GB、16GB DDR4，并將它們提供給主要的CPU和控制器廠商。

據(jù)悉，DDR4內(nèi)存對比DDR3的優(yōu)勢更加明顯：帶寬方面最多可達DDR3-1600的兩倍，即3200Mbit/s;工作電壓方面，DDR4也比三星此前的DDR3L內(nèi)存要低，從1.35V降至1.2V，使得整體功耗最多可減少約40%。

三星表示將與OEM客戶以及主要CPU/內(nèi)存控制器制造商緊密合作擴展高存儲密度DDR4內(nèi)存模塊的市場，零售產(chǎn)品預計將于明年大規(guī)模量產(chǎn)上市。而在制程進化到20nm級別之后，DDR4內(nèi)存的單條容量可提升至32GB。

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