相比于現(xiàn)有的技術(shù)，MeRAM的主要優(yōu)勢是它將高密度、高速讀寫以及不易失性與低能耗結(jié)合起來，它有點(diǎn)類似于硬盤和閃存棒，但MeRAM的速度更快。

磁性存儲器主要基于STT(自旋轉(zhuǎn)移矩)技術(shù)，STT利用電流移動電子將數(shù)據(jù)寫入內(nèi)存。雖然在很多方面STT比其它存儲技術(shù)更有優(yōu)勢，但它基于電流的寫入機(jī)制需要一定的電量，導(dǎo)致它在寫入數(shù)據(jù)的時(shí)候會產(chǎn)生熱量。而且它的存儲能力還受到數(shù)據(jù)大小的限制。

UCLA的研究小組已經(jīng)用電壓取代STT電流將數(shù)據(jù)寫入存儲，利用電勢差進(jìn)行磁位的轉(zhuǎn)換，將數(shù)據(jù)寫入存儲器，這消除了通過導(dǎo)線移動大量電子的必要，減少了熱量的產(chǎn)生，能源效率可以提高10倍到1000倍，而且存儲密度也可以提高4倍，由于相同的物理區(qū)域可以存儲更多的信息，每比特的成本也降低很多。

這個(gè)研究小組的主要負(fù)責(zé)人是UCLA的Raytheon電子工程學(xué)教授Kang L.Wang，另外還有首席作者Juan G.Alzate和UCLA-DARPA項(xiàng)目的項(xiàng)目經(jīng)理Pedram Khalili。

這個(gè)研究成果最初是在今年12月12日的IEEE國際電子元件會議上發(fā)表的。

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