三星在西安的12英寸晶圓廠將達到3D NAND閃存的生產要求，他們計劃在2014年再有新的NAND閃存晶圓廠投入運作。

　　不久前東芝在日本的四日市新晶圓廠破土動工，將在2014年夏季投入使用，生產3D NAND閃存和具有更多高級節(jié)點技術的芯片。預計東芝會在2015年開始量產3D NAND芯片，而據稱現(xiàn)在已經有樣品提供。

　　美光CEO Mark Durcan早前也表示他們會在2014年第一季度開始提供3D NAND閃存的樣品。

renxinbo