不過(guò)，三星似乎不太喜歡TLC這個(gè)名稱(chēng)，官方一直說(shuō)是“3-bit multi-level-cell (MLC)”。

新閃存基于第二代3D堆疊工藝、CTF電荷捕型獲閃存技術(shù)，同樣垂直堆了多達(dá)32層，每顆芯片容量為128Gb(16GB)。TLC V-NAND的量產(chǎn)有利于通用PC上SSD的普及和企業(yè)更為嚴(yán)苛的存儲(chǔ)需求，這給三星在閃存的市場(chǎng)占位提供了極大的競(jìng)爭(zhēng)力。

具體制造工藝沒(méi)說(shuō)，但看起來(lái)應(yīng)該是1xnm級(jí)別的。三星稱(chēng)，相比于平面型的TLC，它可將晶圓的產(chǎn)能輸出翻一番還多，成本自然大大降低。

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