據(jù)他透露，Intel 3D閃存使用了32層堆疊(和三星第二代相同)，其中穿了大約40億個孔洞用于垂直互聯(lián)，最終做到單內(nèi)核容量256Gb(32GB)，比普通的2D閃存翻了一番。

Intel目前使用的是MLC閃存顆粒，但已經(jīng)在設(shè)計TLC版本的，單內(nèi)核容量可輕松達(dá)到384GB(48GB)。

Intel聲稱，他們可以在2毫米的厚度內(nèi)做到1TB容量，也即是一個SD卡那么大，而兩年后可以實現(xiàn)10+TB容量的固態(tài)硬盤。

Intel計劃在2015年下半年發(fā)布基于3D閃存的固態(tài)硬盤，價格會極具競爭力。

這種閃存將在Intel、美光合資的美國猶他州工廠生產(chǎn)，使用20+nm工藝，暫時還不是最新的16nm。

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