三星電子存儲芯片事業(yè)部全永鉉總裁指出：“我們面向全球市場推出第三代三維V-NAND閃存， 以更好性能、更節(jié)能和更高生產(chǎn)效率的最先進(jìn)存儲器解決方案，來加速SSD市場向高性能、高密度化方向發(fā)展。”“通過充分利用三星電子在V-NAND閃存方面的獨(dú)特優(yōu)勢，我們將在企業(yè)、數(shù)據(jù)中心市場及消費(fèi)市場擴(kuò)展高端業(yè)務(wù)，持續(xù)加強(qiáng)大眾對我們SSD產(chǎn)品線的關(guān)注。”

與容量為128Gb的傳統(tǒng)NAND相比，三星電子此次量產(chǎn)的新一代256Gb 3D V-NAND閃存芯片密度實(shí)現(xiàn)翻倍增長。除了在單芯片上支持存儲容量高達(dá)32Gigabytes(256Gb)之外，新的芯片還能輕松地翻倍提升三星電子現(xiàn)有SSD的存儲容量，為TB級SSD提供理想的解決方案。

在2014年8月推出第二代32層3bit MLC V-NAND閃存之后，三星電子在本月隨即發(fā)布第三代 48層3bit MLC V-NAND閃充閃存芯片 ,并將持續(xù)引領(lǐng)3D存儲時(shí)代。

在新一代V-NAND閃存中，每個(gè)單元都采用相同的3D Charge Trap Flash(簡稱CTF)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，每片芯片存儲單元陣列垂直堆疊48層，利用其特殊的蝕刻技術(shù)，通過18億個(gè)通道孔在陣列上實(shí)現(xiàn)電子互連。每個(gè)芯片共包含853億個(gè)單元。單個(gè)存儲單元容量為3bit，一共能存儲2,560億位的數(shù)據(jù)，換句話說，就是一個(gè)不超過手指尖大小的芯片能存儲256Gb數(shù)據(jù)。

與32層3bit MLC 128Gb V-NAND閃存相比，當(dāng)存儲相同容量的數(shù)據(jù)時(shí)，一個(gè)48層3bit MLC 256Gb 3D V-NAND閃存功耗能減少30%。在量產(chǎn)階段，相對于之前推出的32層3D V-NAND閃存而言，新型芯片可將生產(chǎn)效率提升約40%， 在繼續(xù)使用現(xiàn)有設(shè)備的同時(shí)，大大提升了SSD市場的成本競爭力。

在2015年接下來的時(shí)間內(nèi)，三星電子計(jì)劃繼續(xù)生產(chǎn)第三代 V-NAND閃存，以加速推廣TB級SSD的市場普及率。目前三星電子正在計(jì)劃面向消費(fèi)者推出2TB級甚至更高容量、更高密度的SSD，還將計(jì)劃采用業(yè)界領(lǐng)先的 PCIe(NVMe)接口和SAS接口的產(chǎn)品來提升面向企業(yè)級用戶和數(shù)據(jù)中心存儲市場的高密度SSD的市場銷量。

關(guān)于三星電子有限公司.

三星電子，以革命性的創(chuàng)新與技術(shù)，激勵(lì)世界、創(chuàng)造未來，為電視、智能手機(jī)、可穿戴設(shè)備、平板電腦、相機(jī)、數(shù)碼家電、打印機(jī)、醫(yī)療設(shè)備、移動(dòng)通信系統(tǒng)、半導(dǎo)體及LED領(lǐng)域賦予新的定義。三星電子在物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域不斷突破，尤其在智能家居和數(shù)字醫(yī)療方面位居領(lǐng)先地位。三星電子橫跨全球84個(gè)國家，雇員319,000人，年銷售額1,960億美元。

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