由中國計算機學(xué)會信息存儲技術(shù)專業(yè)委員會、中國教育部信息存儲系統(tǒng)重點實驗室和DOIT、存儲在線共同舉辦的2016中國閃存峰會在京召開，主題為“關(guān)鍵之年，讓閃存綻放”，來自產(chǎn)業(yè)界的眾多嘉賓圍繞閃存技術(shù)本身將如何演變與發(fā)展，以及閃存競爭的其它存儲芯片技術(shù)，存儲系統(tǒng)將會怎樣發(fā)展這些熱點問題進行了精彩的分享。

國防科學(xué)技術(shù)大學(xué)計算機學(xué)院研究員方糧講述了憶阻器概念與發(fā)展趨勢，以下為整理內(nèi)容：

憶阻器的概念。1971年，華裔教授蔡少棠提出了憶阻器的概念，根據(jù)現(xiàn)有的四種元器件研究而出，無對應(yīng)器件，僅從理論上做了推導(dǎo)發(fā)表了文章。直到2008年，惠普制作了這樣的器件，測出了當(dāng)時蔡教授預(yù)測的系統(tǒng)，而轟動一時。

蔡少棠教授認為，有切換的器件都可以是憶阻器，不管用的是什么材料和結(jié)構(gòu)，它的概念擴展非常廣泛。這里會聽到兩個概念，一個是憶阻器，另一個是阻變存儲器。阻變存儲器用于大容量存儲器，而憶阻器不僅僅是阻變的概念，它可以作為神經(jīng)突觸進行熱計算。功能薄膜加入電壓以后電阻改變，根據(jù)應(yīng)用做優(yōu)化，比如說做存儲器件表現(xiàn)出0，1，做實際突觸的話需要在電壓對它的刺激表現(xiàn)出良好的線性，這顯示出了不同的優(yōu)化條件。作為憶阻器來講，存儲密度比較有優(yōu)勢。

但憶阻器的研究離應(yīng)用的距離稍遠，目前的研究進展很迅速，主要是在機理、材料和集成化方面。電阻隨著電壓的變化而變化，電壓保持電阻。阻變的機理，現(xiàn)在有很多不同的模型，還需進一步的研究。另外不同的功能材料會有不同的性能，所以材料方面的研究也很必要，往3D集成的話，可靠性也是一個很重要的問題。我們做了制備測試方面的工作，研究電阻的開關(guān)比和耐久性的測試等基礎(chǔ)工作。

近幾年，很多大公司都在做這方面的研究，32G的器件模型，雖然是2013年的時候發(fā)布的，但至今并未真正地使用，仍需進一步完善。

憶阻器的發(fā)展趨勢有三方面，在機理方面需要做更多的研究，以及材料、電極對器件的性能的影響。理論研究和實驗制備和測試優(yōu)化有大量的工作。改善RRAM的器件，也會走向3D集成，可靠性、低噪聲，也是不能回避的問題。多值方面也是共性，器件一個單元可以存儲多位，這在經(jīng)濟上有很好的作用。

憶阻器除了存儲還有更多的應(yīng)用領(lǐng)域，神經(jīng)突觸器件，現(xiàn)在很多的研究發(fā)現(xiàn)大腦里面的神經(jīng)突觸，其實憶阻的效應(yīng)和腦電波的刺激是有關(guān)系的。通過建模做內(nèi)腦計算，這是目前熱門的研究領(lǐng)域。器件的使用要求很多，室溫下，電壓要低一點，穩(wěn)定性比較好，保持時間要足夠長，次數(shù)要足夠多，這是高密度集成和高密度讀寫。

憶阻器單元結(jié)構(gòu)簡單，具有高集成度、低功耗特點。機理不夠清晰，機理有待于研究。多值器件的材料正在做廣泛的研究，很多的廠商非常關(guān)注，3D樣片已經(jīng)有了。除了存儲領(lǐng)域的應(yīng)用以外，其在類腦的計算方面也將有更多的應(yīng)用和進展。

崔歡歡