英特爾公司中國(guó)區(qū)非易失性存儲(chǔ)事業(yè)部總經(jīng)理劉鋼

如今，數(shù)據(jù)無(wú)所不在且爆發(fā)速度驚人。伴隨海量數(shù)據(jù)的激增，企業(yè)一方面需要快速且經(jīng)濟(jì)實(shí)惠地訪問(wèn)和處理所有數(shù)據(jù)，一方面需要不同類型的內(nèi)存和存儲(chǔ)技術(shù)來(lái)應(yīng)對(duì)不同的工作負(fù)載需求，這無(wú)不為各平臺(tái)架構(gòu)的內(nèi)存和存儲(chǔ)帶來(lái)新挑戰(zhàn)。鑒于傳統(tǒng)的存儲(chǔ)選擇尚在數(shù)據(jù)中心的內(nèi)存和存儲(chǔ)連續(xù)體中留有大量空白，英特爾率先將領(lǐng)先的傲騰?技術(shù)與QLC 3D NAND?技術(shù)進(jìn)行結(jié)合，幫助企業(yè)打破內(nèi)存和存儲(chǔ)瓶頸，獲得集高性能、大容量和高可靠性于一身的內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案。

英特爾傲騰數(shù)據(jù)中心固態(tài)盤(pán)將內(nèi)存和存儲(chǔ)的屬性與高吞吐量、低延遲、高服務(wù)質(zhì)量 (QoS) 和高耐久性完美結(jié)合，其架構(gòu)設(shè)計(jì)可在字節(jié)級(jí)別執(zhí)行寫(xiě)入操作，從而獲得更快、更可預(yù)測(cè)的性能和更均衡的讀寫(xiě)性能，使其非常適合Ceph元數(shù)據(jù)(RocksDB & WAL)層。而英特爾^?QLC 3D NAND技術(shù)旨在以市場(chǎng)上最高的外圍組件互聯(lián)高速*(PCIe*)數(shù)據(jù)量密度和經(jīng)濟(jì)實(shí)惠的價(jià)位來(lái)提供閃存可靠性，從而能夠?yàn)镃eph對(duì)象存儲(chǔ)進(jìn)程的數(shù)據(jù)層帶來(lái)更低的硬件成本，更大的存儲(chǔ)容量和更高的系統(tǒng)性能，并使低成本的全閃存陣列取代HDD陣列成為可能。因此，傲騰技術(shù)與QLC 3D NAND技術(shù)的結(jié)合，將幫助企業(yè)打造更高性能和更低成本的軟件定義存儲(chǔ)解決方案，并在開(kāi)源技術(shù)的幫助下，充分發(fā)揮英特爾內(nèi)存存儲(chǔ)技術(shù)的優(yōu)勢(shì)。

英特爾公司中國(guó)區(qū)非易失性存儲(chǔ)事業(yè)部總經(jīng)理劉鋼先生表示：“英特爾一直致力于通過(guò)領(lǐng)先的技術(shù)來(lái)革新整個(gè)內(nèi)存和存儲(chǔ)市場(chǎng)，并通過(guò)打造更加優(yōu)化的異構(gòu)存儲(chǔ)解決方案來(lái)滿足不同層級(jí)的數(shù)據(jù)處理需求。面對(duì)軟件定義存儲(chǔ)快速發(fā)展的趨勢(shì)，英特爾將更加積極地發(fā)揮技術(shù)前瞻者的角色，通過(guò)更加強(qiáng)大、靈活的內(nèi)存存儲(chǔ)技術(shù)，驅(qū)動(dòng)軟件定義存儲(chǔ)加速進(jìn)入一個(gè)新的發(fā)展階段。”?

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