三星表示該技術(shù)垂直堆疊了12個(gè)DRAM芯片，它們通過60000個(gè)TSV互連，每一層的厚度僅有頭發(fā)絲的1/20。據(jù)稱這是目前最精確和最具挑戰(zhàn)性的半導(dǎo)體封裝技術(shù)。

三星還表示：“利用這項(xiàng)新技術(shù)，可以堆疊12個(gè)DRAM芯片，同時(shí)保持與現(xiàn)有8層HBM2產(chǎn)品相同的封裝厚度，即720μm。這對(duì)客戶來(lái)說意味著即使系統(tǒng)設(shè)計(jì)沒有任何變化，也可以生成高容量和高性能的產(chǎn)品?！?/p>

基于12層3D TSV技術(shù)的HBM存儲(chǔ)芯片將很快量產(chǎn)，單片容量從目前的8GB來(lái)到24GB。

崔歡歡