三星表示該技術(shù)垂直堆疊了12個DRAM芯片，它們通過60000個TSV互連，每一層的厚度僅有頭發(fā)絲的1/20。據(jù)稱這是目前最精確和最具挑戰(zhàn)性的半導(dǎo)體封裝技術(shù)。
三星還表示：“利用這項新技術(shù)，可以堆疊12個DRAM芯片，同時保持與現(xiàn)有8層HBM2產(chǎn)品相同的封裝厚度，即720μm。這對客戶來說意味著即使系統(tǒng)設(shè)計沒有任何變化，也可以生成高容量和高性能的產(chǎn)品?！?/p>
基于12層3D TSV技術(shù)的HBM存儲芯片將很快量產(chǎn)，單片容量從目前的8GB來到24GB。
