希捷、日立、西部數(shù)據(jù)都證實(shí)了：通過使用垂直記錄技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)1Tb/sq。在這之前，希捷也曾單方面的暗示過這是切實(shí)可行的。

      目前硬盤的實(shí)密度是每平方英寸250Gb ，此密度水平推進(jìn)了2.5英寸硬盤的流行。2.5英寸硬盤比主流的3.5英寸硬盤更省電，并且能夠?yàn)榇疟P陣列提供更高的I/O水平。例如，東芝有一款硬盤密度為254.8Gb/ sq的筆記本產(chǎn)品，一個(gè)雙碟片裝2.5寸硬盤容量可達(dá)320GB，SATA接口。

      西部數(shù)據(jù)CTO Hossein Moghadam說：“現(xiàn)在，每平方英寸存儲(chǔ)1Tb是可行的”。

      希捷CTO Martk Re,看起來更看好這項(xiàng)技術(shù)，他說“我們已經(jīng)有了很可靠的想法通過利用垂直記錄技術(shù)實(shí)現(xiàn)至少1兆兆位每英寸的密度”。

      這三強(qiáng)表示2015年之前，1Tb/sq硬盤將會(huì)面世，熱輔助磁記錄(HAMR=Heat Assisted Magnetic Recording)或稱激光磁記錄也將會(huì)有助于提高硬盤密度。

      當(dāng)垂直記錄技術(shù)退出歷史舞臺時(shí)，存儲(chǔ)行業(yè)的廠商將會(huì)投入高額資本來研發(fā)新的技術(shù)。目前，被看好的是HAMR即熱輔助磁記錄技術(shù)。如果能夠推遲這個(gè)技術(shù)轉(zhuǎn)變的話，制造商們就可以相應(yīng)延緩在新技術(shù)開發(fā)方面的支出。

      下面是一個(gè)建議時(shí)間表：

          2007年：254Gb/sq面世，一個(gè)雙碟片裝2.5寸硬盤容量可達(dá)320G
          2011年：500Gb/sq面世，一個(gè)2.5英寸硬盤可達(dá)640GB
          2015年：1Tb/sq-inch面世，結(jié)合HAMR技術(shù)，一個(gè)2.5英寸硬盤容量可高達(dá)1.28TB 。

      事實(shí)上，每四年我們就可以看到硬盤容量翻一番。一機(jī)架2.5英寸硬盤，比如40個(gè)，到2011年它們的總?cè)萘繉⑹?5TB，到2015年將會(huì)是50TB。

      同時(shí)，我們也不能忘記3.5英寸硬盤。到2015年，一個(gè)低端陣列的單機(jī)容量將會(huì)達(dá)到24TB。以DELL目前的PowerVault MD3000產(chǎn)品線來說，陣列支持3.5英寸SAS硬盤。目前，內(nèi)置15塊3.5英寸硬盤，容量可達(dá)6TB。硬盤密度提高以后，到2011年單機(jī)容量為12TB；2015年，則可以升至24TB。

多易