Pure Storage的愿景是用全閃存存儲解決各種存儲需求。一方面,旗下有追求極致性能的FalshArray//XL,另一方面,也有追求大容量的FlashBlade//E。兩者之間,多個存儲系統(tǒng)可以支撐各種常見的應(yīng)用類型。

此次發(fā)布中,Pure Storage推出了新一代FlashArray//X R4和FlashArray//C R4,新品將性能提高了40%,將效率提高了80%。其中,性能的提升幅度是Pure Storage歷史上幅度最大的一次。
從Pure Storage 大中華區(qū)技術(shù)總監(jiān)何與暉的介紹中了解到,之所以有如此提升,主要得益于英特爾第四代至強可擴展處理器。新處理器支持DDR5內(nèi)存,而DDR5內(nèi)存有更高的速率、更強尋址能力,當然,帶寬翻倍的PCIe 4.0對于性能提升也非常關(guān)鍵。

除此之外,DirectCompress加速卡提供的內(nèi)聯(lián)壓縮能力也可以緩解主機的性能壓力。光纖通道帶寬支持更高的64Gb和100GbE選項,全線產(chǎn)品也支持面向FC、RoCE和TCP的NVMe-oF協(xié)議的連接方式,也有助于性能的提升。

FlashArray//X是一款面向關(guān)鍵任務(wù)負載的存儲,此次升級意味著可以更好地完成復(fù)雜的,高并發(fā)的關(guān)鍵業(yè)務(wù)工作負載。而FlashArray//C 在升級前,主要用作非關(guān)鍵應(yīng)用和備份場景,升級后則可以承載不需要亞毫秒級 (2毫秒) 延遲的關(guān)鍵業(yè)務(wù)負載,從而降低關(guān)鍵業(yè)務(wù)的成本。

值得注意的是,F(xiàn)lashArray//C是全球首款企業(yè)級全QLC的存儲系統(tǒng)。何與暉介紹稱,F(xiàn)lashArray//C兼顧性能、性價比,支持開發(fā)和測試、災(zāi)難恢復(fù)、故障轉(zhuǎn)移、防范勒索軟件等功能,是功能非常完備的平臺。

Pure//E系列是此次發(fā)布的另一個重點,它的使命是要替代磁盤存儲,它具有了與磁盤存儲系統(tǒng)相當?shù)某杀緝?yōu)勢。經(jīng)測算,6年內(nèi)的總體擁有成本可降低40%,購置成本與磁盤相當,每GB原始成本不到20美分(約合人民幣1.5元)。

閃存替代磁盤是大勢所趨,閃存不僅有更高的能耗效率,還有更高的存儲密度和更低的空間占用,可以節(jié)省資源占用,利好節(jié)能減排。而且,Pure Storage還發(fā)現(xiàn),閃存在故障率方面也遠低于磁盤,可以降低運維壓力。

Pure//E系列具體分為FlashArray//E和FlashBlade//E系列兩種。兩者容量范圍不同,F(xiàn)lashArray//E的容量范圍為1-4PB,F(xiàn)lashBlade//E系列為4-10+PB。兩者支持場景也不同,F(xiàn)lashBlade//E支持S3對象存儲,而FlashArray//E支持單一數(shù)據(jù)塊。

此次發(fā)布時,DFM(DirectFlash)也迎來了一次更新,采用QLC將最大容量提升到了75TB。FlashArray//E采用DFM閃存模塊技術(shù),從1PB起步,可以以300TB為單位擴展到4PB,可在6U的空間里提供4PB的存儲空間。

全新的DFM帶來了更高的帶寬和可預(yù)測的延遲表現(xiàn)。Pure Storage預(yù)計,到2026年,DFM將推出單盤容量300TB的閃存介質(zhì)。相較于同類全閃存陣列競品,將提供更多的能耗和空間節(jié)省,20倍可靠性提升,性能提高4倍以上。

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