Pure Storage的愿景是用全閃存存儲(chǔ)解決各種存儲(chǔ)需求。一方面，旗下有追求極致性能的FalshArray//XL，另一方面，也有追求大容量的FlashBlade//E。兩者之間，多個(gè)存儲(chǔ)系統(tǒng)可以支撐各種常見的應(yīng)用類型。

此次發(fā)布中，Pure Storage推出了新一代FlashArray//X R4和FlashArray//C R4，新品將性能提高了40%，將效率提高了80%。其中，性能的提升幅度是Pure Storage歷史上幅度最大的一次。
從Pure Storage 大中華區(qū)技術(shù)總監(jiān)何與暉的介紹中了解到，之所以有如此提升，主要得益于英特爾第四代至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器。新處理器支持DDR5內(nèi)存，而DDR5內(nèi)存有更高的速率、更強(qiáng)尋址能力，當(dāng)然，帶寬翻倍的PCIe 4.0對(duì)于性能提升也非常關(guān)鍵。

除此之外，DirectCompress加速卡提供的內(nèi)聯(lián)壓縮能力也可以緩解主機(jī)的性能壓力。光纖通道帶寬支持更高的64Gb和100GbE選項(xiàng)，全線產(chǎn)品也支持面向FC、RoCE和TCP的NVMe-oF協(xié)議的連接方式，也有助于性能的提升。

FlashArray//X是一款面向關(guān)鍵任務(wù)負(fù)載的存儲(chǔ)，此次升級(jí)意味著可以更好地完成復(fù)雜的，高并發(fā)的關(guān)鍵業(yè)務(wù)工作負(fù)載。而FlashArray//C 在升級(jí)前，主要用作非關(guān)鍵應(yīng)用和備份場景，升級(jí)后則可以承載不需要亞毫秒級(jí) (2毫秒) 延遲的關(guān)鍵業(yè)務(wù)負(fù)載，從而降低關(guān)鍵業(yè)務(wù)的成本。

值得注意的是，F(xiàn)lashArray//C是全球首款企業(yè)級(jí)全QLC的存儲(chǔ)系統(tǒng)。何與暉介紹稱，F(xiàn)lashArray//C兼顧性能、性價(jià)比，支持開發(fā)和測試、災(zāi)難恢復(fù)、故障轉(zhuǎn)移、防范勒索軟件等功能，是功能非常完備的平臺(tái)。

Pure//E系列是此次發(fā)布的另一個(gè)重點(diǎn)，它的使命是要替代磁盤存儲(chǔ)，它具有了與磁盤存儲(chǔ)系統(tǒng)相當(dāng)?shù)某杀緝?yōu)勢(shì)。經(jīng)測算，6年內(nèi)的總體擁有成本可降低40%，購置成本與磁盤相當(dāng)，每GB原始成本不到20美分（約合人民幣1.5元）。

閃存替代磁盤是大勢(shì)所趨，閃存不僅有更高的能耗效率，還有更高的存儲(chǔ)密度和更低的空間占用，可以節(jié)省資源占用，利好節(jié)能減排。而且，Pure Storage還發(fā)現(xiàn)，閃存在故障率方面也遠(yuǎn)低于磁盤，可以降低運(yùn)維壓力。

Pure//E系列具體分為FlashArray//E和FlashBlade//E系列兩種。兩者容量范圍不同，F(xiàn)lashArray//E的容量范圍為1-4PB，F(xiàn)lashBlade//E系列為4-10+PB。兩者支持場景也不同，F(xiàn)lashBlade//E支持S3對(duì)象存儲(chǔ)，而FlashArray//E支持單一數(shù)據(jù)塊。

此次發(fā)布時(shí)，DFM（DirectFlash）也迎來了一次更新，采用QLC將最大容量提升到了75TB。FlashArray//E采用DFM閃存模塊技術(shù)，從1PB起步，可以以300TB為單位擴(kuò)展到4PB，可在6U的空間里提供4PB的存儲(chǔ)空間。

全新的DFM帶來了更高的帶寬和可預(yù)測的延遲表現(xiàn)。Pure Storage預(yù)計(jì)，到2026年，DFM將推出單盤容量300TB的閃存介質(zhì)。相較于同類全閃存陣列競品，將提供更多的能耗和空間節(jié)省，20倍可靠性提升，性能提高4倍以上。

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