據(jù)了解，鎧俠計劃提供兩條CXL產(chǎn)品線：
第一種是基于CXL和XL-Flash的設(shè)備，它面向?qū)π阅芎涂煽啃砸蟾叩膱鼍?，比如?nèi)存數(shù)據(jù)庫和AI推理工作負(fù)載。
第二種是基于CXL和BiCS 3D NAND的設(shè)備，它面向?qū)Υ鎯θ萘恳蟾叩膽?yīng)用，比如大數(shù)據(jù)和AI訓(xùn)練場景。
這兩種場景下，存儲設(shè)備都用到了一個特殊的控制器，用CXL.mem協(xié)議用來進行讀取，CXL.io協(xié)議用來寫入，從而降低延遲。
在現(xiàn)場，鎧俠展示了一款1.3 TB CXL 1.1/CXL 2.0 BiCS 3D NAND設(shè)備的樣品，目前該產(chǎn)品還在開發(fā)當(dāng)中，該設(shè)備采用E1.S的Form Factor，可以提供更高的性能和散熱能力。
雖然使用CXL協(xié)議，通過PCIe接口訪問3D TLC NAND也是可行的，但是，換成XL-Flash的話，效果會更好，因為XL-Flash的性能比普通3D NAND要高很多。
鎧俠專有的第一代XL-Flash，本質(zhì)上是分布在16個平面上SLC NAND，而第二代XL-Flash是分布在更多平面上的MLC NAND，它可以提供更低的延遲和更高的并行表現(xiàn)，與主流3D TLC NAND相比，性能高出很多。
去年，鎧俠曾表示其CXL存儲設(shè)備將使用第二代XL-Flash，新設(shè)備將超越第一代XL-Flash，不僅更具成本效益，而且還能實現(xiàn)更高容量。
目前，鎧俠沒有公布CXL產(chǎn)品的具體發(fā)布規(guī)劃，外界猜測基于3D NAND的CXL設(shè)備將提早發(fā)布。
